本文關(guān)鍵詞： 晶閘管 雪崩擊穿 場(chǎng)版 摻雜濃度 終端效應(yīng) 接觸電阻　出處：《西安電子科技大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：半導(dǎo)體過(guò)壓保護(hù)器件是一種新型的電壓抑制器,由于其響應(yīng)速度快、體積小、性能穩(wěn)定、短路保護(hù)及單位面積吸收浪涌能力強(qiáng)而廣泛地應(yīng)用于通信設(shè)備的抗浪涌保護(hù)電路中。本課題主要是針對(duì)機(jī)理復(fù)雜、目前應(yīng)用廣泛的開關(guān)型半導(dǎo)體保護(hù)器件的機(jī)理進(jìn)行研究,分析各參數(shù)的意義以及與制造過(guò)程中各工藝的關(guān)系,研究關(guān)鍵工藝控制點(diǎn)和控制的方法,進(jìn)而提高現(xiàn)有半導(dǎo)體保護(hù)器件的性能,使之能夠替代進(jìn)口產(chǎn)品,提高我國(guó)在該領(lǐng)域的生產(chǎn)設(shè)計(jì)水平,使之達(dá)到國(guó)際同類產(chǎn)品水平。本文首先分析了半導(dǎo)體保護(hù)器件的基本結(jié)構(gòu),建立了器件模型,深入研究了各工作狀態(tài)下的工作機(jī)理和器件的觸發(fā)機(jī)制,重點(diǎn)對(duì)器件的正向?qū)�、正向阻斷和門極觸發(fā)等最重要的工作狀態(tài)的機(jī)理進(jìn)行了探究,為進(jìn)行后續(xù)性能改進(jìn)提供理論基礎(chǔ)。其次,分析了器件的基本特性參數(shù)和各種應(yīng)用方法,重點(diǎn)對(duì)電壓保護(hù)應(yīng)用進(jìn)行了分析,提出了需要改進(jìn)的性能參數(shù)。再次,針對(duì)需要改進(jìn)的性能參數(shù),結(jié)合器件的物理結(jié)構(gòu)和工藝特點(diǎn),分析了影響器件關(guān)鍵性能參數(shù)的工藝因素,提出了改進(jìn)的方法,進(jìn)行了相關(guān)工藝實(shí)驗(yàn),并根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果,綜合優(yōu)化了改進(jìn)方案。最后,對(duì)優(yōu)化的方案進(jìn)行了產(chǎn)品的批量流片驗(yàn)證,證明了優(yōu)化方案的可行性和可靠性,最終使得產(chǎn)品的性能得到了改進(jìn)。
[Abstract]:Semiconductor overvoltage protection device is a new type of voltage suppressor, because of its fast response speed, small volume and stable performance. Short circuit protection and absorbing surge per unit area are widely used in the anti-surge protection circuit of communication equipment. The significance of each parameter and its relationship with various processes in manufacturing process are analyzed, and the key process control points and control methods are studied, so as to improve the performance of existing semiconductor protective devices and enable them to replace imported products. In this paper, the basic structure of semiconductor protective devices is analyzed, and the device model is established. The working mechanism of the device and the trigger mechanism of the device are studied in detail, and the mechanism of the most important working state, such as forward conduction, forward blocking and gate trigger, is emphasized. It provides a theoretical basis for further performance improvement. Secondly, the basic characteristic parameters and various application methods of the device are analyzed, the application of voltage protection is analyzed, and the performance parameters that need to be improved are put forward. In view of the performance parameters that need to be improved, combined with the physical structure and process characteristics of the device, the process factors affecting the key performance parameters of the device are analyzed, the improved method is proposed, and the relevant process experiments are carried out, and according to the experimental results, Finally, the batch flowsheet verification of the optimized scheme is carried out, which proves the feasibility and reliability of the optimized scheme, and finally improves the performance of the product.
【學(xué)位授予單位】：西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN303

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8 ;高電壓過(guò)壓保護(hù)控制器[J];電子技術(shù)應(yīng)用;2008年01期

9 史凌峰;王根榮;來(lái)新泉;丁睿;;新型過(guò)壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)[J];電子科技大學(xué)學(xué)報(bào);2011年02期

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6 西安 瞿貴榮;廈華XT7103T彩電過(guò)壓保護(hù)電路故障檢修[N];電子報(bào);2006年

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本文編號(hào)：1524712