本文關(guān)鍵詞： SRAM型FPGA 單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng) 故障注入 部分三模冗余　出處：《微電子學(xué)》2017年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：介紹了一種基于定向故障注入的SRAM型FPGA單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)評估方法。借助XDL工具,該方法解析了Virtex-4SX55型FPGA的幀地址與物理資源之間的對應(yīng)關(guān)系;將電路網(wǎng)表中的資源按模塊分組,利用部分重構(gòu)技術(shù)分別對電路整體及各分組相關(guān)的配置幀進(jìn)行隨機(jī)故障注入,以評估電路整體及其子模塊的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力;按模塊分組對電路分別進(jìn)行部分三模冗余(TMR)加固和故障注入實(shí)驗(yàn),以比較不同加固方案的效果。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:電路的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力與其功能和占用的資源有關(guān);在FPGA資源不足以支持完全TMR的情況下,該方法可以幫助設(shè)計(jì)者找到關(guān)鍵模塊并進(jìn)行有效的電路加固。
[Abstract]:This paper introduces a method for evaluating the single-particle flip effect of SRAM type FPGA based on directed fault injection. With the help of XDL tool, the corresponding relationship between the frame address of Virtex-4SX55 type FPGA and physical resources is analyzed, and the resources in the circuit network table are grouped into modules. The partial reconstruction technique is used to inject the whole circuit and the configuration frames related to each packet at random to evaluate the anti-single particle reversal ability of the whole circuit and its sub-modules. In order to compare the effect of different reinforcement schemes, the circuit is divided into three modules, which are divided into three modes redundant TMRs and fault injection experiments. The experimental results show that the circuit's ability to resist single particle flipping is related to its function and resources. When FPGA resources are not enough to support full TMR, this method can help designers find key modules and implement effective circuit reinforcement.
【作者單位】： 中國科學(xué)院電子學(xué)研究所;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61474120,61271149)
【分類號】：TN791

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號：1514114