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一種帶斬波的雙采樣Σ-Δ調(diào)制器

發(fā)布時間:2018-02-13 15:24

  本文關(guān)鍵詞: Σ-Δ調(diào)制器 雙采樣前饋積分器 斬波技術(shù) 出處:《微電子學(xué)》2017年04期  論文類型:期刊論文


【摘要】:設(shè)計了一種適用于過高磁場抗擾度的電容式隔離型全差分Σ-Δ調(diào)制器。它采用單環(huán)2階1位量化的前饋積分器結(jié)構(gòu),運用斬波技術(shù)降低低頻噪聲和直流失調(diào)。與傳統(tǒng)的全差分結(jié)構(gòu)相比,該調(diào)制器的每級積分器均采用4個采樣電容,在一個時鐘周期內(nèi)能實現(xiàn)兩次采樣與積分,所需的外部時鐘頻率僅為傳統(tǒng)積分器的一半,降低了運放的壓擺率及單位增益帶寬的設(shè)計要求,實現(xiàn)了低功耗;贑SMC 0.35μm CMOS工藝,在5 V電源電壓、10 MHz采樣頻率和256過采樣率的條件下進(jìn)行電路仿真。后仿真結(jié)果表明,調(diào)制器的SNDR為100.7 d B,THD為-104.9 d B,ENOB可達(dá)16.78位,總功耗僅為0.4 m A。
[Abstract]:This paper designs a kind of capacitive isolation type full differential 危 - 螖 modulator which is suitable for high magnetic field immunity . It uses single - loop 2 - order 1 - bit quantized feed - forward integrator structure to reduce the low - frequency noise and DC offset by means of chopping technique . The external clock frequency is only half of the traditional integrator . The result shows that the SNDR of the modulator is 100.7 dB , THD is - 104.9 d B , ENOB can reach 16.78 bits , and the total power consumption is only 0.4 m A .

【作者單位】: 湘潭大學(xué)物理與光電工程學(xué)院;微光電與系統(tǒng)集成湖南省工程實驗室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金資助項目(61274043);國家自然科學(xué)基金重點項目(61233010) 湖南省自然科學(xué)杰出青年基金資助項目(2015JJ1014)
【分類號】:TN761

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本文編號:1508480

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