本文關(guān)鍵詞： Σ-Δ調(diào)制器 雙采樣前饋積分器 斬波技術(shù)　出處：《微電子學(xué)》2017年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：設(shè)計(jì)了一種適用于過(guò)高磁場(chǎng)抗擾度的電容式隔離型全差分Σ-Δ調(diào)制器。它采用單環(huán)2階1位量化的前饋積分器結(jié)構(gòu),運(yùn)用斬波技術(shù)降低低頻噪聲和直流失調(diào)。與傳統(tǒng)的全差分結(jié)構(gòu)相比,該調(diào)制器的每級(jí)積分器均采用4個(gè)采樣電容,在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)能實(shí)現(xiàn)兩次采樣與積分,所需的外部時(shí)鐘頻率僅為傳統(tǒng)積分器的一半,降低了運(yùn)放的壓擺率及單位增益帶寬的設(shè)計(jì)要求,實(shí)現(xiàn)了低功耗。基于CSMC 0.35μm CMOS工藝,在5 V電源電壓、10 MHz采樣頻率和256過(guò)采樣率的條件下進(jìn)行電路仿真。后仿真結(jié)果表明,調(diào)制器的SNDR為100.7 d B,THD為-104.9 d B,ENOB可達(dá)16.78位,總功耗僅為0.4 m A。
[Abstract]:This paper designs a kind of capacitive isolation type full differential 危 - 螖 modulator which is suitable for high magnetic field immunity . It uses single - loop 2 - order 1 - bit quantized feed - forward integrator structure to reduce the low - frequency noise and DC offset by means of chopping technique . The external clock frequency is only half of the traditional integrator . The result shows that the SNDR of the modulator is 100.7 dB , THD is - 104.9 d B , ENOB can reach 16.78 bits , and the total power consumption is only 0.4 m A .

【作者單位】： 湘潭大學(xué)物理與光電工程學(xué)院;微光電與系統(tǒng)集成湖南省工程實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61274043);國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(61233010) 湖南省自然科學(xué)杰出青年基金資助項(xiàng)目(2015JJ1014)
【分類號(hào)】：TN761

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本文編號(hào)：1508480