發(fā)布時(shí)間：2018-02-12 05:20

  本文關(guān)鍵詞： 探測(cè)器 黑硅 紅外探測(cè)器 超飽和摻雜 光譜響應(yīng)　出處：《激光與光電子學(xué)進(jìn)展》2016年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：黑硅材料具有良好的光學(xué)吸收特性,廣泛用于太陽(yáng)能電池和紅外探測(cè)器的制備中�；诤诠璨牧现苽涞奶綔y(cè)器具有光譜響應(yīng)度大、響應(yīng)范圍寬、響應(yīng)曲線較為平直等優(yōu)點(diǎn),介紹了黑硅紅外探測(cè)器國(guó)內(nèi)外的研究進(jìn)展,其中涉及的黑硅制備方法包括飛秒激光輻照、皮秒激光輻照、濕法腐蝕、離子注入結(jié)合準(zhǔn)分子納秒激光輻照。討論了目前黑硅紅外探測(cè)器制備中存在的問(wèn)題,包括黑硅在退火過(guò)程中吸收率下降嚴(yán)重以及黑硅表面電極制備難、載流子橫向輸運(yùn)能力差等問(wèn)題。對(duì)存在的問(wèn)題進(jìn)行了分析,總結(jié)了當(dāng)前的解決方法,展望了黑硅紅外探測(cè)器的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景。
[Abstract]:Black silicon materials have good optical absorption properties and are widely used in the preparation of solar cells and infrared detectors. The detectors based on black silicon materials have the advantages of large spectral responsivity, wide response range, flat response curve, etc. The research progress of black silicon infrared detector at home and abroad is introduced. The preparation methods of black silicon include femtosecond laser irradiation, picosecond laser irradiation, wet etching. Ion implantation combined with excimer nanosecond laser irradiation. The problems existing in the fabrication of black silicon infrared detectors are discussed, including the serious decrease in the absorption rate of black silicon during annealing and the difficulty in preparing black silicon surface electrodes. The existing problems are analyzed, the current solutions are summarized, and the development trend and application prospect of black silicon infrared detectors are prospected.
【作者單位】： 中國(guó)航空工業(yè)集團(tuán)公司北京長(zhǎng)城計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究所計(jì)量與校準(zhǔn)技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)防科工局技術(shù)基礎(chǔ)“十二五”科研項(xiàng)目(KBA51302580) 中航工業(yè)基礎(chǔ)院科技創(chuàng)新基金項(xiàng)目(JCY2015A002)
【分類號(hào)】：TN215

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本文編號(hào)：1504870