線陣碲鎘汞探測(cè)器對(duì)納秒脈沖激光的反常響應(yīng)規(guī)律及機(jī)理
本文關(guān)鍵詞: HgCdTe 線陣探測(cè)器 脈沖激光 反常響應(yīng) 零壓輸出 響應(yīng)凹陷 出處:《紅外與激光工程》2017年10期 論文類(lèi)型:期刊論文
【摘要】:利用納秒激光輻照PV型線陣HgCdTe探測(cè)器的局部光敏元,獲得了該類(lèi)器件損傷前被輻照和未被輻照像元輸出信號(hào)隨激光能量密度變化的全部響應(yīng)規(guī)律,指出基底信號(hào)二階段響應(yīng)和光信號(hào)六階段響應(yīng)的規(guī)律特點(diǎn),同時(shí)給出不同響應(yīng)階段激光能量密度閾值范圍;發(fā)現(xiàn)了基底信號(hào)整體躍變的零壓輸出、光響應(yīng)信號(hào)輸出凹陷-回升-凸起等反常響應(yīng)現(xiàn)象;并從探測(cè)器讀出電路和熱生電動(dòng)勢(shì)的角度揭示了反常響應(yīng)現(xiàn)象的產(chǎn)生機(jī)理,希望能加強(qiáng)對(duì)陣列型HgCdTe探測(cè)器光響應(yīng)特性的深刻認(rèn)識(shí),為該類(lèi)器件的技術(shù)創(chuàng)新提供啟示。
[Abstract]:By using nanosecond laser to irradiate the local Guang Min element of PV linear array HgCdTe detector, the response laws of the output signals of irradiated and unirradiated pixels with laser energy density before and after damage are obtained. The characteristics of the two-stage response of the substrate signal and the six-stage response of the optical signal are pointed out, and the threshold range of the laser energy density in different response stages is given, and the zero-pressure output of the global jump of the substrate signal is found. The mechanism of abnormal response is revealed from the angle of detector readout circuit and thermally generated electromotive force. It is hoped that the deep understanding of the photoresponse characteristics of array type HgCdTe detectors can provide inspiration for the technological innovation of this kind of devices.
【作者單位】: 國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十四研究所;
【基金】:高能激光技術(shù)湖南省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(2015TP1001)
【分類(lèi)號(hào)】:TN215
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