線陣碲鎘汞探測器對納秒脈沖激光的反常響應規(guī)律及機理
本文關鍵詞: HgCdTe 線陣探測器 脈沖激光 反常響應 零壓輸出 響應凹陷 出處:《紅外與激光工程》2017年10期 論文類型:期刊論文
【摘要】:利用納秒激光輻照PV型線陣HgCdTe探測器的局部光敏元,獲得了該類器件損傷前被輻照和未被輻照像元輸出信號隨激光能量密度變化的全部響應規(guī)律,指出基底信號二階段響應和光信號六階段響應的規(guī)律特點,同時給出不同響應階段激光能量密度閾值范圍;發(fā)現(xiàn)了基底信號整體躍變的零壓輸出、光響應信號輸出凹陷-回升-凸起等反常響應現(xiàn)象;并從探測器讀出電路和熱生電動勢的角度揭示了反常響應現(xiàn)象的產生機理,希望能加強對陣列型HgCdTe探測器光響應特性的深刻認識,為該類器件的技術創(chuàng)新提供啟示。
[Abstract]:By using nanosecond laser to irradiate the local Guang Min element of PV linear array HgCdTe detector, the response laws of the output signals of irradiated and unirradiated pixels with laser energy density before and after damage are obtained. The characteristics of the two-stage response of the substrate signal and the six-stage response of the optical signal are pointed out, and the threshold range of the laser energy density in different response stages is given, and the zero-pressure output of the global jump of the substrate signal is found. The mechanism of abnormal response is revealed from the angle of detector readout circuit and thermally generated electromotive force. It is hoped that the deep understanding of the photoresponse characteristics of array type HgCdTe detectors can provide inspiration for the technological innovation of this kind of devices.
【作者單位】: 國防科學技術大學光電科學與工程學院;中國電子科技集團公司第三十四研究所;
【基金】:高能激光技術湖南省重點實驗室(2015TP1001)
【分類號】:TN215
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