本文關(guān)鍵詞： 功率器件 碳化硅 襯底材料　出處：《電力電子技術(shù)》2017年08期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：碳化硅(SiC)作為第3代寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料之一,具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性,是制作高壓、大功率、高頻、高溫和抗輻射新型功率半導(dǎo)體器件的理想材料。近年來,國內(nèi)外在SiC單晶襯底制備方面取得了重大進展。對SiC單晶襯底材料的最新發(fā)展進行回顧,包括SiC單晶生長技術(shù)、直徑擴大、缺陷控制等,對SiC單晶材料的發(fā)展趨勢進行了展望。隨著高質(zhì)量大尺寸SiC襯底材料的迅速發(fā)展,大大降低了SiC器件的制造成本,為SiC功率器件的發(fā)展提供了堅實基礎(chǔ)。
[Abstract]:As one of the core materials of the third generation wide band gap semiconductor, sic has high breakdown field strength, high saturated electron drift rate, high thermal conductivity and good chemical stability. Ideal materials for high-power, high-frequency, high-temperature and radiation-resistant new power semiconductor devices. Great progress has been made in the preparation of SiC single crystal substrates at home and abroad. The latest development of SiC single crystal substrates is reviewed, including the growth technology of SiC single crystals, diameter expansion, defect control and so on. The development trend of SiC single crystal materials is prospected. With the rapid development of high quality and large size SiC substrates, the manufacturing cost of SiC devices is greatly reduced. It provides a solid foundation for the development of SiC power devices.
【作者單位】： 山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室;
【基金】：國家重點研發(fā)計劃(2016YFB0400401) 山東省重大研發(fā)計劃(2016GGX4101)~~
【分類號】：TN304.24
【正文快照】： l引言隨著電力電子器件性能需求的不斷提高,Si材料的物理局限性日益顯現(xiàn),嚴(yán)重制約了Si器件性能的提高m。近年來,以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料越來越受到產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注,使用SiC材料制造新一代的電力電子元件,可變得更小、更快、更可靠且更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)

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本文編號：1488206