發(fā)布時(shí)間：2018-02-03 14:56

  本文關(guān)鍵詞： 電荷泵 體效應(yīng) 轉(zhuǎn)換效率 低電壓　出處：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2017年10期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：針對于傳統(tǒng)電荷泵結(jié)構(gòu)存在的閾值壓降和受體效應(yīng)影響的問題,在傳統(tǒng)四相時(shí)鐘電荷泵結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上通過增加襯底自舉電容及輔助管增大傳輸管的襯底電壓,降低體效應(yīng)的影響,提升了電荷泵電路的轉(zhuǎn)換效率,降低了電荷泵電路的啟動(dòng)電壓.電荷泵電路基于TSMC 0.18μm CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)與仿真,仿真結(jié)果表明:改進(jìn)型電荷泵的工作電壓可以低至0.8V,轉(zhuǎn)換效率76.25%.
[Abstract]:In order to solve the problem of threshold pressure drop and receptor effect existing in traditional charge pump structure, the substrate voltage of transmission tube is increased by increasing substrate bootstrap capacitance and auxiliary tube on the basis of traditional four-phase clock charge pump structure. The effect of volume effect is reduced, the conversion efficiency of charge pump circuit is improved, and the start-up voltage of charge pump circuit is reduced. The charge pump circuit is designed and simulated based on TSMC 0.18 渭 m CMOS process. The simulation results show that the working voltage of the improved charge pump can be as low as 0.8 V and the conversion efficiency is 76.25.
【作者單位】： 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中國科學(xué)院上海高等研究院;
【分類號】：TN402
【正文快照】： 1引言近年來,隨著無源射頻識(shí)別(RFID)技術(shù)的應(yīng)用深入,對于標(biāo)簽的識(shí)別距離要求越來越高,而標(biāo)簽芯片的功耗是影響電子標(biāo)簽閱讀距離的最主要因素[1],因此要求標(biāo)簽芯片的功耗越來越低.存儲(chǔ)器作為RFID標(biāo)簽存儲(chǔ)信息的載體,是RFID標(biāo)簽芯片必不可少的核心電路之一,它的讀寫功耗是標(biāo)簽

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