本文關(guān)鍵詞： 雙界面智能卡 模擬前端(AFE) 靜電放電(ESD) 人體模型(HBM) 設(shè)計規(guī)則 芯片成本　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：雙界面智能卡芯片靜電放電(ESD)可靠性的關(guān)鍵是模擬前端(AFE)模塊的ESD可靠性設(shè)計,如果按照代工廠發(fā)布的ESD設(shè)計規(guī)則設(shè)計,AFE模塊的版圖面積將非常大。針對雙界面智能卡芯片AFE電路結(jié)構(gòu)特點和失效機(jī)理,設(shè)計了一系列ESD測試結(jié)構(gòu)。通過對這些結(jié)構(gòu)的流片和測試分析,研究了器件設(shè)計參數(shù)和電路設(shè)計結(jié)構(gòu)對雙界面智能卡芯片ESD性能的影響。定制了適用于雙界面智能卡芯片AFE模塊設(shè)計的ESD設(shè)計規(guī)則,實現(xiàn)對ESD器件和AFE內(nèi)核電路敏感結(jié)構(gòu)的面積優(yōu)化,最終成功縮小了AFE版圖面積,降低了芯片加工成本,并且芯片通過了8 000 V人體模型(HBM)ESD測試。
[Abstract]:The key to the reliability of dual interface smart card chip ESD is to design the ESD reliability of the analog front-end (AFE) module, if it is designed according to the ESD design rules issued by the manufacturer. The layout area of AFE module will be very large. A series of ESD test structures are designed according to the characteristics of AFE circuit structure and failure mechanism of dual-interface smart card chip. The effects of device design parameters and circuit design structure on the ESD performance of dual-interface smart card chip are studied, and the ESD design rules suitable for the design of dual-interface smart card chip AFE module are customized. The area optimization of the sensitive structure of ESD device and AFE core circuit is realized. Finally, the area of AFE layout is reduced successfully, and the chip processing cost is reduced. And the chip passed the 8 000 V mannequin HBMU ESD test.
【作者單位】： 北京中電華大電子設(shè)計有限責(zé)任公司射頻識別芯片檢測技術(shù)北京市重點實驗室;
【分類號】：TN402
【正文快照】： 0引言雙界面智能卡因其可靠性高、防沖突、操作靈活、無源等特點被廣泛應(yīng)用于金融、交通、物流、教育和身份識別等領(lǐng)域[1-2]。雙界面智能卡由芯片和感應(yīng)天線兩部分構(gòu)成,芯片核心是模擬前端(analog front end,AFE)模塊,其將天線傳遞來的電磁波信號轉(zhuǎn)換為芯片內(nèi)部的電源[3]。AFE

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