本文關(guān)鍵詞： 特高頻 接收機(jī) 芯片 低噪聲放大器 開關(guān)　出處：《浙江大學(xué)》2016年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：近幾年,隨著無線通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,對于接收機(jī)系統(tǒng)的要求越來越嚴(yán)格。低噪聲放大器位于接收機(jī)的第一級,是決定其靈敏度、動態(tài)范圍、抗干擾能力等性能參數(shù)的關(guān)鍵。實(shí)際應(yīng)用中,當(dāng)天線接收到大數(shù)量級的信號時,信號經(jīng)過低噪聲放大器后,會使混頻器后端的電路模塊飽和,導(dǎo)致接收機(jī)無法正常工作。因而本論文設(shè)計一款,含有旁路開關(guān)功能的寬帶低噪放芯片。當(dāng)接收微弱信號時,芯片將信號放大傳輸?shù)胶蠖穗娐�；而�?dāng)輸入信號過強(qiáng)時,通過內(nèi)部開關(guān)切換,關(guān)閉放大功能,信號直接到達(dá)后端電路。本論文完成的主要工作包括,首先分析芯片內(nèi)部前級寬帶低噪聲放大器,以及后級SPDT射頻開關(guān)的基本設(shè)計理論；其次完成芯片的原理圖仿真和版圖設(shè)計；最后經(jīng)過流片生產(chǎn),對芯片進(jìn)行調(diào)試、封裝工作。芯片的實(shí)際測試結(jié)果表明,在400～700MHz頻段內(nèi),輸入回波損耗低于-10dB;噪聲系數(shù)在0.85～1.05dB范圍內(nèi)；小信號增益高于18dB；輸入三階交調(diào)點(diǎn)高于OdBm；旁路開關(guān)插入損耗在-1.1～-0.99dB范圍內(nèi)；靜態(tài)功耗電流保持在10mA。滿足設(shè)計指標(biāo)的需求,在重要參數(shù)指標(biāo)上超過了目前市場上的商用產(chǎn)品。
[Abstract]:In recent years, with the rapid development of wireless communication technology, the requirements of receiver system become more and more strict. LNA is located in the first stage of the receiver, which determines its sensitivity and dynamic range. The key of performance parameters such as anti-jamming ability. In practical application, when the antenna receives a signal of the order of magnitude, the signal passes through the low-noise amplifier, and the circuit module at the back end of the mixer will be saturated. As a result, the receiver can not work properly. Therefore, this paper designs a broadband low-noise amplifier chip with bypass switch function. When the weak signal is received, the chip amplifies the signal to the back-end circuit; When the input signal is too strong, switching through the internal switch, turn off the amplification function, the signal directly to the back-end circuit. The main work accomplished in this paper includes: first, the analysis of the chip internal front-stage broadband low-noise amplifier. And the basic design theory of the rear stage SPDT RF switch; Secondly, the schematic simulation and layout design of the chip are completed. Finally, the chip is debugged and packaged through the chip production. The actual test results show that the input echo loss is less than -10dB in the 700MHz band. The noise coefficient is in the range of 0.85 ~ 1.05dB; The small signal gain is higher than 18 dB; The third order crossover point was higher than OdBm. The insertion loss of bypass switch is in the range of -1.1 ~ 0.99dB; The static power consumption current is kept at 10 Ma. It meets the requirements of the design index and exceeds the commercial products in the current market in terms of important parameters.
【學(xué)位授予單位】：浙江大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TN722.3

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 ;高頻低噪聲放大器[J];國外電子元器件;2001年01期

2 安毅,呂昕,高本慶;振幅比較單脈沖系統(tǒng)中前端低噪聲放大器的選擇[J];雷達(dá)與對抗;2001年01期

3 曹克,楊華中,汪蕙;低電壓低功耗CMOS射頻低噪聲放大器的研究進(jìn)展[J];微電子學(xué);2003年04期

4 一凡;全波段毫米波低噪聲放大器[J];微電子技術(shù);2003年03期

5 張廣,鄭武團(tuán),田海林;低噪聲放大器的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計法[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2004年01期

6 ;安捷倫科技推出具關(guān)斷功能的超低噪聲放大器模塊[J];電子與電腦;2005年11期

7 張紅南;黃雅攸;蔣超;顏永紅;;高增益低功耗CMOS低噪聲放大器的設(shè)計[J];微計算機(jī)信息;2008年29期

8 劉峻;盧劍;李新;郭宇;蘇建華;梁潔;;一種低噪聲放大器的白噪聲分析[J];中國集成電路;2009年08期

9 周偉中;;低噪聲放大器的仿真設(shè)計[J];科技資訊;2010年14期

10 張維佳;;非平衡變換低噪聲放大器的設(shè)計[J];信息通信;2012年02期

相關(guān)會議論文 前10條

1 張乾本;;45°K超低噪聲放大器[A];1993年全國微波會議論文集（下冊）[C];1993年

2 高飛;張曉平;郜龍馬;朱美紅;曹必松;高葆新;;低溫低噪聲放大器特性研究[A];2003'全國微波毫米波會議論文集[C];2003年

3 鄭磊;胡皓全;田立卿;;低噪聲放大器的設(shè)計[A];2005'全國微波毫米波會議論文集（第三冊）[C];2006年

4 郭偉;鮑景富;;低噪聲放大器穩(wěn)定性分析與設(shè)計方法[A];2005'全國微波毫米波會議論文集（第二冊）[C];2006年

5 賀菁;董宇亮;徐軍;李桂萍;;5mm寬帶低噪聲放大器的研制[A];2007年全國微波毫米波會議論文集（上冊）[C];2007年

6 劉暢;梁曉新;閻躍鵬;;射頻寬帶低噪聲放大器設(shè)計[A];2009安捷倫科技節(jié)論文集[C];2009年

7 王云峰;李磊;梁遠(yuǎn)軍;朱文龍;;雙平衡支路低噪聲放大器的設(shè)計與測試[A];2009安捷倫科技節(jié)論文集[C];2009年

8 劉寶宏;陳東坡;毛軍發(fā);;一種采用正體偏置和增益增強(qiáng)技術(shù)的低電壓低功耗低噪聲放大器[A];2009年全國微波毫米波會議論文集（下冊）[C];2009年

9 張利飛;汪海勇;;低噪聲放大器的仿真設(shè)計[A];2009年全國微波毫米波會議論文集（下冊）[C];2009年

10 王漢華;胡先進(jìn);;衛(wèi)星電視低噪聲放大器的設(shè)計[A];1997年全國微波會議論文集（上冊）[C];1997年

相關(guān)重要報紙文章 前1條

1 四川 張達(dá) 編譯;增益從1到1000倍可變的高精度低噪聲放大器[N];電子報;2004年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 井凱;SiGe HBT低噪聲放大器的研究[D];西安電子科技大學(xué);2016年

2 曹克;低電壓低功耗CMOS射頻低噪聲放大器設(shè)計[D];清華大學(xué);2005年

3 劉寶宏;CMOS工藝的低電壓低噪聲放大器研究[D];上海交通大學(xué);2011年

4 黃煜梅;CMOS藍(lán)牙收發(fā)器中低噪聲放大器的設(shè)計及高頻噪聲研究[D];復(fù)旦大學(xué);2004年

5 許永生;CMOS射頻器件建模及低噪聲放大器的設(shè)計研究[D];華東師范大學(xué);2006年

6 李琨;低噪聲放大器動態(tài)范圍擴(kuò)展的理論和方法研究[D];天津大學(xué);2010年

7 王軍;低噪聲放大器模塊化分析與設(shè)計的等效噪聲模型法的研究[D];電子科技大學(xué);1999年

8 黃東;面向多帶多標(biāo)準(zhǔn)接收機(jī)的寬帶CMOS低噪聲放大器研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2015年

9 彭洋洋;微波/毫米波單片集成收發(fā)機(jī)中關(guān)鍵電路的設(shè)計及其小型化[D];浙江大學(xué);2012年

10 李芹;無生產(chǎn)線模式微波單片集成電路設(shè)計與實(shí)驗研究[D];東南大學(xué);2005年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 張全;宇航用低噪聲放大器研制及其可靠性研究[D];西安電子科技大學(xué);2012年

2 侯曉翔;高效率微波單片放大器電路研究[D];電子科技大學(xué);2015年

3 王明浩;汽車FM天線低噪聲放大器的設(shè)計[D];大連海事大學(xué);2015年

4 屠志晨;pHEMT通用導(dǎo)航低噪聲放大器設(shè)計[D];浙江大學(xué);2016年

5 洪明;基于pHEMT的L波段低噪聲放大器設(shè)計[D];浙江大學(xué);2015年

6 徐文磊;433MHz低噪聲放大器的設(shè)計與功率放大器的實(shí)現(xiàn)[D];南昌大學(xué);2016年

7 徐劭然;應(yīng)用于WSN的2.4GHz低功耗低噪聲放大器設(shè)計[D];東南大學(xué);2015年

8 陳玲;用于電子偵察目的寬帶低噪聲放大器的研究與設(shè)計[D];東南大學(xué);2015年

9 余之喜;北斗導(dǎo)航終端射頻接收通道集成電路的設(shè)計[D];福州大學(xué);2013年

10 李凱南;基于802.11標(biāo)準(zhǔn)的低噪聲放大器設(shè)計[D];西北師范大學(xué);2015年

，

本文編號：1474095