發(fā)布時(shí)間：2018-01-29 09:50

  本文關(guān)鍵詞： 電力電子 SiC MOSFET SiC絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) SiC DC/DC變換器 逆變器　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：進(jìn)入21世紀(jì),寬禁帶半導(dǎo)體材料的發(fā)展對電力電子學(xué)產(chǎn)生了革命性的影響,SiC新一代電力電子學(xué)應(yīng)運(yùn)而生。從高頻高效率開關(guān)應(yīng)用、高功率密度、高壓變換、高溫工作、熱管理和可靠性研究等方面介紹了近幾年SiC電力電子學(xué)的應(yīng)用創(chuàng)新。應(yīng)用創(chuàng)新的內(nèi)容包含:電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、優(yōu)化設(shè)計(jì)方法、SiC功率器件和先進(jìn)高頻無源元件的采用、寄生參量的抑制、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、高溫粘結(jié)與封裝工藝、新冷卻方法和極端工作條件的可靠性試驗(yàn)方法等。對SiC電力電子學(xué)的應(yīng)用創(chuàng)新進(jìn)行了綜合評價(jià)。
[Abstract]:In 21th century, the development of wide band gap semiconductor materials has a revolutionary impact on power electronics. The new generation of sic power electronics came into being. From the high frequency and high efficiency switch applications, high power density. The application innovation of SiC power electronics in recent years is introduced in the aspects of high voltage conversion, high temperature operation, thermal management and reliability research. The contents of application innovation include: circuit topology design, optimization design method. SiC power devices and advanced high-frequency passive components, parasitic parameter suppression, drive circuit design, high-temperature bonding and packaging technology. The new cooling method and reliability test method of extreme working conditions are used to evaluate the application innovation of SiC power electronics.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司;
【分類號】：TN303
【正文快照】： 0引言電力電子學(xué)是在產(chǎn)生、傳輸、存儲或消費(fèi)的電功率流中的轉(zhuǎn)換和控制技術(shù),其關(guān)鍵部件是半導(dǎo)體高功率器件(晶體管和二極管)和利用高功率器件的電功率變換器。以Si MOSFET、Si絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)和二極管為代表的Si電力電子學(xué)經(jīng)過30

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本文編號：1473127