發(fā)布時間：2018-01-27 14:53

  本文關(guān)鍵詞： Si基光電探測器 電場隔離結(jié)構(gòu) 暗電流　出處：《半導(dǎo)體光電》2017年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：對Si基PIN光電探測器的電場隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究,討論了電場隔離結(jié)構(gòu)的作用以及其與暗電流的關(guān)系,并進(jìn)行了仿真模擬與測試分析。電場隔離結(jié)構(gòu)主要將有源區(qū)和邊緣隔離從而降低暗電流,結(jié)合仿真模擬結(jié)果和實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果,分析得到電場隔離結(jié)構(gòu)主要降低與周長有關(guān)的暗電流,對于小尺寸器件作用更明顯。
[Abstract]:The electric field isolation structure of Si - based PIN photodetector is studied . The effect of electric field isolation structure and its relationship with dark current are discussed . Simulation simulation and test analysis are carried out .

【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)信息學(xué)部;北京郵電大學(xué)電子工程學(xué)院信息光子學(xué)與光通信國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61335004,61675046,61505003) 國家“973”計(jì)劃項(xiàng)目(2016YFB0400603) 國家“863”計(jì)劃項(xiàng)目(2015AA017101)
【分類號】：TN36
【正文快照】： 0引言高靈敏Si基光電探測器廣泛應(yīng)用于航空航天、國防、醫(yī)療和安全等領(lǐng)域[1]。靈敏度可反映探測器能夠探測到最小光子能量的能力,衡量探測器靈敏度的一個關(guān)鍵指標(biāo)就是暗電流。降低暗電流的方法除了提高器件表面的潔凈度、增加表面鈍化以外,還有采用淺溝槽隔離和電場隔離等[2-3

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本文編號：1468724