本文關(guān)鍵詞： 集成門極換流晶閘管 改進型傅里葉級數(shù)法 電路模型 參數(shù)提取　出處：《電工電能新技術(shù)》2017年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：隨著集成門極換流晶閘管(IGCT)在大功率電力電子裝置的大范圍推廣,相應(yīng)的高精度仿真研究必不可少,IGCT模型特別是具有較高精度的基于物理的IGCT電路仿真模型將發(fā)揮更加重要的作用。本文充分考慮了IGCT結(jié)構(gòu)特點及其運行特性對參數(shù)提取的影響,結(jié)合理論分析、實驗提取、實物測量及經(jīng)驗估算,在已有參數(shù)提取方法的基礎(chǔ)上,提出了一種適用于基于改進型傅里葉級數(shù)法的IGCT電路模型的參數(shù)提取方法。搭建了具備感性負載的箝位電路測試平臺,用于參數(shù)提取及提取方法驗證,將采用本文方法提取的模型參數(shù)用于上述IGCT電路模型,進行電路仿真分析,所得IGCT模型仿真結(jié)果與實驗結(jié)果高度擬合,驗證了本文參數(shù)提取方法的正確性。
[Abstract]:With the wide application of integrated gate commutation thyristor (IGCTT) in high-power electronic devices, the corresponding high-precision simulation research is essential. The IGCT model, especially the physical IGCT circuit simulation model with high precision, will play a more important role. This paper takes the characteristics of IGCT structure and its operation characteristics into account to extract the parameters. Ring. Combined with theoretical analysis, experimental extraction, physical measurement and empirical estimation, on the basis of existing parameter extraction methods. A parameter extraction method for IGCT circuit model based on improved Fourier series method is proposed. A clamp circuit test platform with inductive load is built for parameter extraction and verification. The model parameters extracted by this method are applied to the above IGCT circuit model, and the simulation results of the IGCT model are highly fitted to the experimental results. The correctness of the parameter extraction method is verified.
【作者單位】： 中國科學院電工研究所;中國科學院大學;
【基金】：國家自然科學基金(51607170)
【分類號】：TN34
【正文快照】： 1引言集成門極換流晶閘管(Integrated Gate Commuta-ted Thyristor,IGCT)采用了特殊的結(jié)構(gòu)及工藝,使其相對于門極關(guān)斷晶閘管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)擁有優(yōu)越的開關(guān)特性和較高的工作頻率,同時繼承了GTO的功率處理能力,屬于具備高可靠性的全控晶閘管[1-4]。IGCT問世起,即

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