發(fā)布時(shí)間：2018-01-26 01:56

  本文關(guān)鍵詞： 絕緣柵雙極型晶體管 母排 雜散電感 不均流　出處：《電力電子技術(shù)》2017年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：IHM-B封裝絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊有3組功率端子,其內(nèi)部可等效為3組IGBT并聯(lián)。母排雜散電感的分布對(duì)流進(jìn)該模塊功率端子電流的不均流程度有很大影響。以一種半橋式結(jié)構(gòu)的母排作為研究對(duì)象,建立影響IHM-B封裝的IGBT模塊功率端子間不均流程度雜散電感的等效數(shù)學(xué)模型。通過Q3D有限元仿真軟件提取出該母排的自感與互感。搭建雙脈沖測(cè)試電路,分別提取出在開通瞬態(tài)某一時(shí)刻流進(jìn)該IGBT模塊3組端子的電流變化率的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),進(jìn)而分析母排雜散電感對(duì)IGBT模塊功率端子不均流的影響。實(shí)驗(yàn)分析結(jié)果證明,通過改變母排結(jié)構(gòu)以減小等效雜散電感的差異,能很好地消除功率端子不均流現(xiàn)象。
[Abstract]:The IHM-B package insulated gate bipolar transistor (IGBT) module has three sets of power terminals. Its internal equivalent is three groups of IGBT parallel. The distribution of busbar stray inductor convection into the power terminal current of the module has a great impact on the degree of uneven current. A half-bridge bus is used as the research object. An equivalent mathematical model of the stray inductance of uneven flow between power terminals of IGBT module which affects IHM-B packaging is established. The self-inductance and mutual inductance of the bus are extracted by using Q3D finite element simulation software, and the dual pulses are built. Test the circuit. The experimental data of the current change rate of the three groups of terminals in the IGBT module are extracted respectively at a certain time when the IGBT module is switched on. Furthermore, the influence of busbar stray inductor on the uneven flow of power terminal in IGBT module is analyzed. The experimental results show that the difference of equivalent stray inductor can be reduced by changing the bus structure. It can eliminate the uneven flow of power terminal well.
【作者單位】： 中國(guó)礦業(yè)大學(xué)電氣與動(dòng)力工程學(xué)院;
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： i引言母排的雜散電感對(duì)大功率IGBT模塊的穩(wěn)定運(yùn)行具有重要影響。為提氋耐受電流等級(jí),大功率IGBT模塊內(nèi)部通常是將IGBT芯片作并聯(lián)封裝,導(dǎo)致IGBT芯片電流分布不均。在母排雜散電感對(duì)IGBT模塊電流影響的研究中,基于模塊內(nèi)部雜散電感的研究較多而對(duì)于IHM-B封裝的IGTB模塊,由于其封

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本文編號(hào)：1464325