本文關鍵詞： 正交混頻器 有源巴倫 多相濾波器 高線性度　出處：《微波學報》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：隨著射頻收發(fā)組件小型化的要求越來越高,射頻單片集成電路向小型化和多功能化方向發(fā)展�；赥SMC 0.35μm SiGe工藝成功研制了一款多功能下變頻芯片。片上集成了正交(I/Q)混頻器、有源巴倫、多相濾波器、輸出緩沖器和LDO。通過對整個電路合理的版圖設計,實現(xiàn)了芯片的小型化,芯片裸片尺寸僅為2.2 mm×1.5mm。測試結果表明,多功能下變頻芯片射頻和本振頻率范圍為900~1300 MHz,中頻頻率范圍100~500 MHz,具有良好的正交寬中頻輸出特性,匹配良好;變頻增益大于-1 dB,1 dB壓縮輸入功率可達到8 dBm,線性度良好;本振輸入功率0 dBm,整個電路功耗為0.45 W。
[Abstract]:With the miniaturization of RF transceiver components, the requirements are becoming higher and higher. RF monolithic IC is developing towards miniaturization and multifunction. A multifunctional down-conversion chip based on TSMC 0.35 渭 m SiGe process has been successfully developed. The quadrature I / Q is integrated on the chip. Mixer. Active Barron, polyphase filter, output buffer and LDO. The chip is miniaturized by reasonable layout design of the whole circuit. The size of the bare chip is only 2.2 mm 脳 1.5 mm. The test results show that the RF and local oscillator frequency range of the multi-function down-conversion chip is 900 ~ 1 300 MHz. The intermediate frequency range is 100m Hz, which has good output characteristics of orthogonal wide intermediate frequency and good match. The frequency conversion gain is greater than 1 dB and the input power can reach 8 dBm, and the linearity is good. The local oscillator input power is 0 dBm and the power consumption of the whole circuit is 0.45 W.
【作者單位】： 四川九洲電器集團有限責任公司;
【分類號】：TN402
【正文快照】： 引言隨著武器裝備系統(tǒng)的不斷發(fā)展,系統(tǒng)對產(chǎn)品小型化、低功耗、可靠性的要求越來越高,傳統(tǒng)的混合集成電路將很難適應新的發(fā)展[1]。微波多功能芯片(MSOC)的出現(xiàn),使得上述問題得到完美的解決。從微波集成電路到單片微波集成電路(MMIC)再到多功能芯片,微波集成電路設計領域?qū)⒔?jīng)歷

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