本文關(guān)鍵詞： 共振隧穿二極管 高電子遷移率晶體管 單雙穩(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)換邏輯單元 D觸發(fā)器　出處：《浙江大學(xué)學(xué)報(理學(xué)版)》2017年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：共振隧穿二極管(RTD)作為一種新的量子器件和納米電子器件,具有負(fù)內(nèi)阻、電路功耗低、工作頻率高、雙穩(wěn)態(tài)和自鎖等特性,可突破CMOS工藝尺寸的物理極限,在數(shù)字集成電路領(lǐng)域有更為廣闊的發(fā)展空間.針對RTD的特性,采用3個RTD串聯(lián)的單雙穩(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)換邏輯單元(MOBILE)和類SR鎖存器,設(shè)計了基于RTD和HEMT(高電子遷移率晶體管)的D觸發(fā)器.較于其他研究的D觸發(fā)器,該D觸發(fā)器能有效降低電路的器件數(shù)量和復(fù)雜度,且能抗S、R信號的延時差異干擾,具有更穩(wěn)健的輸出.
[Abstract]:As a new quantum device and nano-electronic device, the resonant tunneling diode (RTD) has the characteristics of negative internal resistance, low power consumption, high operating frequency, bistability and self-locking. It can break through the physical limit of CMOS process size, and has a broader development space in the field of digital integrated circuit, aiming at the characteristics of RTD. Three RTD series mono-bistable conversion logic units (MOBILE) and SR-like latch are used. A D-flip-flop based on RTD and HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed. Compared with other D flip-flop, the D-flip-flop can effectively reduce the number and complexity of the circuit, and can resist S. R signal delay differential interference, with more robust output.
【作者單位】： 杭州師范大學(xué)國際服務(wù)工程學(xué)院;
【基金】：浙江省自然科學(xué)基金資助項目(LY15F010011) 國家自然科學(xué)基金資助項目(61771179,61471314,61271124)
【分類號】：TN783
【正文快照】： 0引言隨著數(shù)字集成電路的快速發(fā)展,傳統(tǒng)CMOS工藝尺寸不斷減小,電路的集成度越來越高,同時也出現(xiàn)了一些由功耗和互連線等帶來的問題,如熱耗散、短溝道效應(yīng)、量子力學(xué)效應(yīng)等[1-3].共振隧穿二極管(resonant tunneling devices,RTD)作為一種新的量子器件和納米電子器件,可以突破傳

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本文編號：1463325