本文關鍵詞： 氮化硅薄膜 殘余應力 等離子增強化學氣相沉積(PECVD) 電極結(jié)構(gòu) KOH腐蝕　出處：《微納電子技術》2017年10期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：在襯底溫度為400℃、射頻功率為20 W的條件下,通過改變SiH_4和NH_3的體積流量比、電極(圓環(huán)和平板電極)和勻氣盤結(jié)構(gòu),采用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)法制備出不同成分的氮化硅薄膜,測量了薄膜的淀積速率、殘余應力以及在HF溶液和KOH溶液中的腐蝕速率。實驗發(fā)現(xiàn):隨著SiH_4和NH_3體積流量比的增大,薄膜的淀積速率變大;相同工藝條件下,采用不同結(jié)構(gòu)的電極淀積的氮化硅薄膜在KOH溶液中的腐蝕速率和腐蝕后的表面形貌都沒有明顯的差異;相同工藝條件下,使用圓環(huán)電極淀積的氮化硅薄膜具有較小的殘余應力;使用平板電極淀積的氮化硅薄膜在HF溶液(HF和H_2O的體積比為1∶50)和緩沖氫氟酸(BHF)溶液中有更好的耐腐蝕性;勻氣盤對淀積的氮化硅薄膜的淀積速率、殘余應力、在HF和KOH溶液中的腐蝕速率幾乎沒有影響。
[Abstract]:At the substrate temperature of 400 鈩，

本文編號：1456458