發(fā)布時間：2018-01-21 19:05

  本文關(guān)鍵詞： 調(diào)制頻率 半導(dǎo)體材料 自由載流子 時域　出處：《科技通報》2017年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：在工業(yè)半導(dǎo)體制造業(yè)中,伴隨微電子器件尺寸不斷縮小及集成程度的提高,對制作電子器件的半導(dǎo)體材料性質(zhì)的檢測是不可或缺的。因此文中提出在不同調(diào)制頻率下對半導(dǎo)體載流子輸運特性進(jìn)行分析并研究它與時域曲線的關(guān)系。首先,利用自由載流子吸收檢測技術(shù),根據(jù)半導(dǎo)體原料中的自由載流子對光吸收的性質(zhì)獲取吸收系數(shù),并通過該系數(shù)得到載流子濃度比例,運用調(diào)制激勵光改變載流子濃度,依據(jù)載流子吸收光的特性再次調(diào)制探測光明確載流子輸運參數(shù);其次,運用調(diào)制載流子對光的吸收作用獲取的輸入?yún)?shù),通過仿真實驗利用輸入?yún)?shù)中的載流子壽命、擴(kuò)散系數(shù)和表面復(fù)合速度等因素,在不同頻率下分析載流子輸運特性與時域曲線的關(guān)系。實驗證明,利用該技術(shù)能夠較好地分析載流子輸運特性對時域曲線的影響。
[Abstract]:In the industrial semiconductor manufacturing industry, with the continuous reduction of the size of microelectronic devices and the improvement of integration degree. It is indispensable to detect the properties of semiconductor materials for electronic devices. Therefore, we propose to analyze the carrier transport characteristics of semiconductor at different modulation frequencies and to study the relationship between semiconductor carrier transport characteristics and time domain curves. Using the free carrier absorption detection technology, the absorption coefficient is obtained according to the properties of the free carrier absorption in semiconductor raw materials, and the carrier concentration ratio is obtained by the coefficient. The carrier transport parameters are determined by modulating the probe light according to the characteristics of the carrier absorbing light by changing the carrier concentration with the modulated excitation light. Secondly, the input parameters are obtained by the absorption of modulated carriers to light, and the carrier lifetime, diffusion coefficient and surface recombination velocity of the input parameters are used in the simulation experiment. The relationship between carrier transport characteristics and time-domain curves is analyzed at different frequencies. The experimental results show that the influence of carrier transport characteristics on time-domain curves can be well analyzed by using this technique.
【作者單位】： 商丘工學(xué)院基礎(chǔ)教學(xué)部;
【基金】：河南省高等學(xué)校重點科研項目(17A120012) 2015年河南省教育技術(shù)裝備和實踐教育研究立項課題(編號:GZS134)
【分類號】：TN304
【正文快照】： 文獻(xiàn)[1]指出在大規(guī)模集成電路制造時代的宏觀環(huán)境下,半導(dǎo)體微電子領(lǐng)域始終利用摩爾定律進(jìn)行技術(shù)改進(jìn)及更新。在近10多年來電子業(yè)的發(fā)展中,伴隨離子注入工藝及超大模式電路光刻技術(shù)的加入,其電子集成尺寸已經(jīng)可以達(dá)到100 nm以下,2006年更是縮小至65 nm以下,而現(xiàn)在集成電路能夠

【參考文獻(xiàn)】

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1 王昊;石峰;朱紅偉;陳星;;半導(dǎo)體器件多物理場計算中的熱邊界條件[J];強激光與粒子束;2016年11期

2 王聰;楊艦;李坤;彭強;;區(qū)域產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢下高職類微電子技術(shù)專業(yè)人才需求分析及人才培養(yǎng)模式探究[J];蘭州文理學(xué)院學(xué)報(自然科學(xué)版);2016年04期

3 李金猛;;基于FPGA的數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)[J];電子設(shè)計工程;2016年13期

4 ;低功耗傳感節(jié)能電源解決方案[J];中國集成電路;2015年09期

5 尚文亞;劉豐滿;王海東;何慧敏;萬菲;于大全;上官東愷;;PCB布線中的過孔和電容效應(yīng)分析和結(jié)構(gòu)優(yōu)化[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2015年16期

6 沙一平;朱辰;趙澤鋼;李東升;馬向陽;楊德仁;;TiO_2薄膜的硼摻雜對TiO_2/p~+-Si異質(zhì)結(jié)器件電致發(fā)光的增強[J];發(fā)光學(xué)報;2015年04期

7 李沫;孫鵬;宋宇;代剛;張健;;半導(dǎo)體器件輻射電離效應(yīng)的激光模擬方法[J];太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報;2015年01期

【共引文獻(xiàn)】

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1 王聰;唐玲;楊艦;;“半導(dǎo)體器件物理”課程的高職教育現(xiàn)狀及教學(xué)改革探究[J];高教學(xué)刊;2017年15期

2 劉麗;鐘家富;;不同調(diào)制頻率下半導(dǎo)體載流子輸運特性對時域曲線的影響研究[J];科技通報;2017年07期

3 周振興;尹生;王松;何岳培;;40GBASE-KR4傳輸通道仿真與背板設(shè)計優(yōu)化[J];通信技術(shù);2017年07期

4 王聰;楊艦;;高職院校集成電路制造工藝原理課程的教學(xué)探索[J];高師理科學(xué)刊;2017年06期

5 梁X;孫鵬;李沫;代剛;李順;解磊;;SOI器件瞬時劑量率效應(yīng)的激光模擬技術(shù)研究[J];原子能科學(xué)技術(shù);2017年01期

6 高博;王立新;劉剛;羅家俊;韓鄭生;王路璐;鄧海濤;;國產(chǎn)中高壓抗輻照功率MOSFET單粒子效應(yīng)[J];太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報;2016年01期

【二級參考文獻(xiàn)】

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1 徐可;曾洪正;陳星;;基于多物理場計算的二極管雪崩擊穿效應(yīng)分析[J];強激光與粒子束;2015年10期

2 王昊;陳星;徐可;黃卡瑪;;肖特基二極管對微波響應(yīng)的多物理場協(xié)同計算[J];四川大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2015年05期

3 王昊;陳星;許光輝;黃卡瑪;;A novel physical parameter extraction approach for Schottky diodes[J];Chinese Physics B;2015年07期

4 劉淑英;;高職微電子技術(shù)專業(yè)人才培養(yǎng)模式構(gòu)建與實踐[J];機(jī)械職業(yè)教育;2014年12期

5 李淑萍;;微電子技術(shù)專業(yè)實踐教學(xué)體系的構(gòu)建與實踐[J];西北成人教育學(xué)院學(xué)報;2014年06期

6 徐可;陳星;王昊;;高功率微波效應(yīng)的多層次多物理場協(xié)同算法[J];強激光與粒子束;2014年07期

7 畢津順;曾傳濱;高林春;劉剛;羅家俊;韓鄭生;;Estimation of pulsed laser-induced single event transient in a partially depleted silicon-on-insulator 0.18-μm MOSFET[J];Chinese Physics B;2014年08期

8 曹麗芬;卞峰苓;王憶欣;孫勝男;崔海寧;;基于AAO模板的TiO_2微納結(jié)構(gòu)及其光電特性[J];發(fā)光學(xué)報;2014年01期

9 李冬冬;佘江波;王麗莉;彭波;;二氧化鈦負(fù)載光纖型光催化反應(yīng)器的研究進(jìn)展[J];中國光學(xué);2013年04期

10 胡世明;康懷祺;滕云龍;;高速大容量存儲系統(tǒng)的應(yīng)用設(shè)計[J];火控雷達(dá)技術(shù);2012年01期

【相似文獻(xiàn)】

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1 張新華;信號中調(diào)制頻率的估計[J];電子技術(shù)應(yīng)用;1994年01期

2 王彬;探測器的電流和調(diào)制頻率的研究[J];長春理工大學(xué)學(xué)報;2005年02期

3 陳哲,廖延彪;熱極化光纖中線性電光系數(shù)對調(diào)制頻率的響應(yīng)[J];半導(dǎo)體光電;2004年01期

4 ;D~*參數(shù)的計算[J];國外紅外與激光技術(shù);1974年01期

5 閆旭東;;噪聲關(guān)聯(lián)程度時間周期調(diào)制頻率對單模激光隨機(jī)共振的影響[J];三峽大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2010年01期

6 張新華;機(jī)械動態(tài)測試中圖像信號的處理[J];新技術(shù)新工藝;1998年03期

7 ;[J];;年期

，

本文編號：1452324