本文關(guān)鍵詞： 藍寶石 雙面研磨 面形精度 粗糙度 去除量　出處：《現(xiàn)代制造工程》2017年09期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：雙面研磨作為藍寶石襯底加工中的一道重要工序,主要目的是去除晶片表面的線切痕,使晶片表面粗糙度均勻,同時提高晶片的面形精度,使其滿足一定要求。通過開展雙面研磨實驗,研究藍寶石晶片的面形精度(翹曲度Warp、彎曲度Bow及總厚度偏差TTV)和表面粗糙度Ra隨材料去除厚度的變化規(guī)律。在雙面研磨初始階段,翹曲度迅速減小,彎曲度減小趨勢較緩,總厚度偏差和表面粗糙度值則迅速增大;隨著研磨的進行,翹曲度、總厚度偏差和表面粗糙度隨材料去除厚度的增大變化不大,而彎曲度Bow則隨材料去除厚度的增大而逐漸減小,達到一定程度后則趨于穩(wěn)定。研究結(jié)果對優(yōu)化藍寶石晶片雙面研磨加工工藝、提高藍寶石晶片雙面研磨加工精度和加工效率具有重要意義。
[Abstract]:Double-sided grinding is an important process in sapphire substrate processing, the main purpose is to remove the linear cut marks on the wafer surface, make the surface roughness of the wafer uniform, and improve the surface shape accuracy of the wafer at the same time. The precision of sapphire wafer (Warp) was studied by double-sided grinding experiment. The variation of bending degree Bow and total thickness deviation (TTV) and surface roughness Ra with the material removal thickness. In the initial stage of double-sided grinding, the warpage decreases rapidly and the bending decreases slowly. The total thickness deviation and surface roughness increase rapidly. With the grinding, the warpage, total thickness deviation and surface roughness change little with the increase of the material removal thickness, while the bending degree Bow decreases gradually with the material removal thickness increasing. The results are of great significance to optimize the processing technology of sapphire wafer and improve the precision and efficiency of sapphire wafer double-sided grinding.
【作者單位】： 華僑大學制造工程研究院;福建晶安光電有限公司;
【基金】：國家自然科學基金-海峽聯(lián)合基金重點項目(U1305241) 華僑大學中青年教師科研提升資助計劃項目(Z14J0009);華僑大學引進高層次人才科研啟動費項目(12BS203);華僑大學研究生科研創(chuàng)新能力培育計劃資助項目
【分類號】：TN305
【正文快照】： 0引言目前藍光LED(發(fā)光二極管)使用的半導體材料主要是Ga N,而Ga N薄膜的質(zhì)量影響著器件的相關(guān)性能,這使得Ga N薄膜的生長技術(shù)成為了關(guān)鍵,高質(zhì)量的Ga N薄膜是影響LED發(fā)展的核心技術(shù)。由于單晶Ga N的制備非常困難,現(xiàn)在還沒有單晶Ga N可以進行同質(zhì)外延生長Ga N薄膜[1]。能商用化

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本文編號：1452002