發(fā)布時(shí)間：2018-01-19 01:24

  本文關(guān)鍵詞： 絕緣柵雙極型晶體管 驅(qū)動(dòng)電路 短路保護(hù)　出處：《電力電子技術(shù)》2016年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：根據(jù)大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)對(duì)驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)的要求,提出一種基于M57962AL的實(shí)用型大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路及其保護(hù)的設(shè)計(jì)方案,該設(shè)計(jì)方案選取IGBT輸出特性曲線的拐點(diǎn)作為短路保護(hù)閾值點(diǎn),可有效防止誤保護(hù)。以FF1200R17KE3_B2為例,根據(jù)提出的設(shè)計(jì)方案設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)參數(shù)、保護(hù)參數(shù)及外圍電路。通過短路保護(hù)測(cè)試及大功率實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證該驅(qū)動(dòng)電路具有良好的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)能力。
[Abstract]:According to the requirements of high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) for driving circuit and protection. A practical high power IGBT driver circuit based on M57962AL and its protection scheme are proposed. The inflection point of IGBT output characteristic curve is selected as the threshold point of short circuit protection. Take FF1200R17KE3_B2 as an example to design the appropriate driving parameters according to the proposed design scheme. Protection parameters and peripheral circuits. The test results of short circuit protection and high power experiments show that the drive circuit has good driving and protection capability.
【作者單位】： 國(guó)網(wǎng)浙江省電力公司電力科學(xué)研究院;
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】：

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本文編號(hào)：1442039