發(fā)布時(shí)間：2018-01-18 12:23

  本文關(guān)鍵詞：運(yùn)算放大器單粒子瞬態(tài)脈沖效應(yīng)試驗(yàn)評(píng)估及防護(hù)設(shè)計(jì)　出處：《空間科學(xué)學(xué)報(bào)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 單粒子瞬態(tài)脈沖效應(yīng) 脈沖激光 試驗(yàn)評(píng)估 減緩電路

【摘要】：線性器件的單粒子瞬態(tài)脈沖效應(yīng)(SET)具有瞬發(fā)性和傳播性,其對(duì)星用電子系統(tǒng)和設(shè)備的在軌故障定位及防護(hù)設(shè)計(jì)造成較大困難,已成為威脅航天器可靠性的重要因素之一.星用電子設(shè)備需要對(duì)所采用線性器件的SET特征進(jìn)行細(xì)致的試驗(yàn)評(píng)估,以確定其最壞情況,并在此基礎(chǔ)上結(jié)合具體應(yīng)用電路特點(diǎn)進(jìn)行有針對(duì)性的濾波等防護(hù)設(shè)計(jì).本文以典型的星用線性器件LM124運(yùn)算放大器作為研究對(duì)象,利用脈沖激光對(duì)其SET特征進(jìn)行試驗(yàn)評(píng)估,得到寬度為35μs、幅度為7.2 V的最壞情況SET參數(shù).利用Hspice仿真驗(yàn)證LM124的SET特性與規(guī)律,針對(duì)最壞情況SET,仿真設(shè)計(jì)了外圍濾波電路,研究不同減緩電路參數(shù)對(duì)SET脈沖的抑制效果,確定出最優(yōu)電路參數(shù).再次利用脈沖激光試驗(yàn)檢驗(yàn)濾波電路對(duì)最壞情況SET的減緩效果,結(jié)果表明采用最優(yōu)參數(shù)設(shè)計(jì)的濾波電路對(duì)最壞情況SET有較好的抑制作用,能夠滿足通常的應(yīng)用電路需求.
[Abstract]:Single particle transient pulse effect (set) of linear devices is transient and transmissible, which makes it difficult to locate and protect satellite electronic systems and devices in orbit. Satellite electronic devices need to evaluate the SET characteristics of linear devices carefully to determine the worst case. On this basis combined with the characteristics of specific application circuits targeted filtering and other protection design. This paper takes the typical satellite linear device LM124 operational amplifier as the research object. The SET characteristics were evaluated by pulsed laser, and the width was 35 渭 s. The Hspice simulation is used to verify the SET characteristics and rules of LM124, and the peripheral filter circuit is designed for the worst-case set. The suppression effect of different slowing circuit parameters on SET pulse is studied, and the optimal circuit parameters are determined. The pulse laser experiment is used to test the effect of filtering circuit on the SET in the worst-case condition. The results show that the filter circuit designed with optimal parameters can restrain the worst-case SET well and can meet the requirements of common application circuits.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院國(guó)家空間科學(xué)中心空間環(huán)境特殊效應(yīng)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目資助(41304148)
【分類號(hào)】：TN722.77
【正文快照】： 0引言 模擬電路的單粒子瞬態(tài)脈沖(Single Evnit,Trailsieiit.SET)足在一定偏青條件下.單個(gè)高能粒子轟 擊電路的靈敏節(jié)點(diǎn)從而在電路輸出端引起的瞬時(shí)電壓信號(hào)輸出卩.2],為區(qū)別于數(shù)字電路組合邏輯鏈中的SET,也稱其為ASET.模擬電路的SET效應(yīng)通常具有LET閾值低、截面大、幅度高

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 郭紅霞,陳雨生,周輝,賀朝會(huì),耿斌,李永宏;重離子微束單粒子翻轉(zhuǎn)與單粒子燒毀效應(yīng)數(shù)值模擬[J];計(jì)算物理;2003年05期

2 薛玉雄;曹洲;楊世宇;;激光模擬單粒子效應(yīng)試驗(yàn)研究[J];航天器環(huán)境工程;2006年02期

3 宋欽岐;單粒子效應(yīng)[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);1989年12期

4 董攀;陳莉明;范隆;岳素格;鄭宏超;王興友;;Spacewire通訊路由器單粒子功能中斷測(cè)試系統(tǒng)研究[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);2014年04期

5 韓建偉;張振龍;封國(guó)強(qiáng);馬英起;;單粒子鎖定極端敏感器件的試驗(yàn)及對(duì)我國(guó)航天安全的警示[J];航天器環(huán)境工程;2008年03期

6 田愷;曹洲;薛玉雄;楊世宇;周新發(fā);劉群;彭飛;;反熔絲型現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列單粒子鎖定實(shí)驗(yàn)研究[J];原子能科學(xué)技術(shù);2009年09期

7 姚志斌;范如玉;郭紅霞;王忠明;何寶平;張鳳祁;張科營(yíng);;靜態(tài)單粒子翻轉(zhuǎn)截面的獲取及分類[J];強(qiáng)激光與粒子束;2011年03期

8 馮小剛;李儒章;劉佳;周前能;譚智琴;徐輝;劉明;;基于標(biāo)準(zhǔn)工藝的抗單粒子數(shù)字單元設(shè)計(jì)方法[J];微電子學(xué);2014年02期

9 曹洲,楊世宇,達(dá)道安;功率MOSFET單粒子燒毀測(cè)試技術(shù)研究[J];真空與低溫;2004年01期

10 薛玉雄;田愷;曹洲;楊生勝;馬亞莉;;激光模擬單粒子效應(yīng)設(shè)備及試驗(yàn)研究進(jìn)展綜述[J];航天器環(huán)境工程;2010年03期

相關(guān)會(huì)議論文 前10條

1 賀朝會(huì);李永宏;楊海亮;;單粒子效應(yīng)輻射模擬實(shí)驗(yàn)研究進(jìn)展[A];第一屆中國(guó)核技術(shù)及應(yīng)用研究學(xué)術(shù)研討會(huì)摘要文集[C];2006年

2 耿超;劉杰;侯明東;孫友梅;段敬來(lái);姚會(huì)軍;張戰(zhàn)剛;莫丹;羅捷;;基于RPP模型的單粒子在軌翻轉(zhuǎn)率計(jì)算[A];第二十四屆全國(guó)空間探測(cè)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文摘要集[C];2011年

3 侯明東;劉杰;孫友梅;段敬來(lái);常海龍;張戰(zhàn)剛;莫丹;;宇航器件單粒子效應(yīng)的加速器地面模擬[A];第七屆中國(guó)核學(xué)會(huì)“三核”論壇中國(guó)放射醫(yī)學(xué)教育五十年暨中國(guó)毒理學(xué)會(huì)放射毒理委員會(huì)第八次全國(guó)會(huì)議論文集[C];2010年

4 侯明東;劉杰;李保權(quán);甄紅樓;;單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中的幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題[A];中國(guó)空間科學(xué)學(xué)會(huì)空間探測(cè)專業(yè)委員會(huì)第十二次學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];1999年

5 張慶祥;侯明東;劉杰;王志光;金運(yùn)范;朱智勇;孫友梅;宋銀;段敬來(lái);;混合離子加速技術(shù)在單粒子效應(yīng)和探測(cè)器標(biāo)定實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用[A];中國(guó)空間科學(xué)學(xué)會(huì)空間探測(cè)專業(yè)委員會(huì)第十五次學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2002年

6 黃建國(guó);韓建偉;張慶祥;黃治;陳東;李小銀;張振龍;;脈沖激光模擬單粒子效應(yīng)機(jī)理研究[A];第十一屆全國(guó)日地空間物理學(xué)術(shù)討論會(huì)論文摘要集[C];2005年

7 劉杰;;元器件單粒子效應(yīng)的加速器地面測(cè)試研究[A];中國(guó)空間科學(xué)學(xué)會(huì)第七次學(xué)術(shù)年會(huì)會(huì)議手冊(cè)及文集[C];2009年

8 李保權(quán);侯明東;劉杰;朱光武;王世金;梁金寶;孫越強(qiáng);張微;翟應(yīng)應(yīng);黃紅錦;沈思忠;高平;;加速器模擬單粒子效應(yīng)研究[A];實(shí)踐五號(hào)衛(wèi)生空間探測(cè)與試驗(yàn)成果學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2002年

9 路秀琴;劉建成;郭繼宇;郭剛;沈東軍;惠寧;張慶祥;張振龍;韓建偉;;重離子單粒子效應(yīng)靈敏體積及電荷收集研究[A];第一屆中國(guó)核技術(shù)及應(yīng)用研究學(xué)術(shù)研討會(huì)摘要文集[C];2006年

10 張戰(zhàn)剛;劉杰;侯明東;孫友梅;常海龍;段敬來(lái);莫丹;姚會(huì)軍;;元器件單粒子效應(yīng)加速器試驗(yàn)中的新現(xiàn)象[A];第二十三屆全國(guó)空間探測(cè)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文摘要集[C];2010年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前8條

1 楊振雷;Flash型FPGA單粒子效應(yīng)研究及新型測(cè)試驗(yàn)證系統(tǒng)的研制[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院(近代物理研究所);2016年

2 習(xí)凱;微電子器件質(zhì)子單粒子效應(yīng)敏感性預(yù)估研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院(近代物理研究所);2016年

3 王天琦;影響納米CMOS器件單粒子效應(yīng)電荷收集共享關(guān)鍵問(wèn)題研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2016年

4 邢克飛;星載信號(hào)處理平臺(tái)單粒子效應(yīng)檢測(cè)與加固技術(shù)研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2007年

5 古松;基于重離子加速器的SOI SRAM器件單粒子翻轉(zhuǎn)實(shí)驗(yàn)研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（近代物理研究所）;2015年

6 耿超;微納級(jí)SRAM器件單粒子效應(yīng)理論模擬研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（近代物理研究所）;2014年

7 王忠明;SRAM型FPGA的單粒子效應(yīng)評(píng)估技術(shù)研究[D];清華大學(xué);2011年

8 劉必慰;集成電路單粒子效應(yīng)建模與加固方法研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2009年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 禹金標(biāo);用于空間探測(cè)的電子元器件輻照性能研究[D];鄭州大學(xué);2015年

2 周恒;SRAM單粒子加固設(shè)計(jì)[D];電子科技大學(xué);2015年

3 林子壬;納米集成電路單粒子瞬變中電荷收集機(jī)理及加固方法研究[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2013年

4 李博;基于商用工藝的抗輻照SRAM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2014年

5 周威;GaAs HBT單粒子效應(yīng)的研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

6 程佳;單粒子效應(yīng)瞬態(tài)電荷收集的試驗(yàn)研究[D];中國(guó)科學(xué)院國(guó)家空間科學(xué)中心;2016年

7 陳天陽(yáng);單粒子效應(yīng)對(duì)衛(wèi)星光通信中DSP影響的研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2016年

8 杜洋;光子引入的單粒子效應(yīng)[D];電子科技大學(xué);2016年

9 陳毅華;場(chǎng)效應(yīng)晶體管單粒子效應(yīng)的機(jī)制與加固方法研究[D];湘潭大學(xué);2016年

10 徐富兵;基于FinFET SRAM單粒子效應(yīng)仿真研究[D];西安電子科技大學(xué);2015年

，

本文編號(hào)：1440942