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大功率半導(dǎo)體激光器可靠性研究和失效分析

發(fā)布時間:2018-01-17 00:01

  本文關(guān)鍵詞:大功率半導(dǎo)體激光器可靠性研究和失效分析 出處:《發(fā)光學(xué)報》2017年02期  論文類型:期刊論文


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【摘要】:對自主研發(fā)的975 nm波長的COS封裝的大功率半導(dǎo)體單管激光器進(jìn)行了10,12,14 A的電流步進(jìn)加速應(yīng)力試驗,應(yīng)用逆冪律模型和指數(shù)分布的理論對試驗結(jié)果進(jìn)行了分析,計算出在8 A的電流下,器件的平均壽命為28 999 h。研究了器件的失效形式和老化前后的溫升、偏振度的變化,結(jié)果表明:失效形式主要有體內(nèi)退化、腔面退化、與焊接有關(guān)的退化;老化后的器件的結(jié)溫上升增多,偏振度下降10%左右。
[Abstract]:A high power semiconductor single-transistor laser packaged at 975nm wavelength of COS has been tested with a current step accelerated stress test of 10C 12C 14A. The experimental results are analyzed by using the inverse power law model and the theory of exponential distribution, and the current at 8A is calculated. The average lifetime of the device is 28 999 h. The changes of temperature rise and polarization degree before and after aging are studied. The results show that the main failure forms are internal degradation and cavity surface degradation. Welding related degradation; After aging, the junction temperature increased and the degree of polarization decreased about 10%.
【作者單位】: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子器件國家工程研究中心;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(61306057)資助項目~~
【分類號】:TN248.4
【正文快照】: 1引言隨著大功率半導(dǎo)體激光器的材料、工藝與各類相關(guān)技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步,大功率半導(dǎo)體激光器已經(jīng)發(fā)展到一個相對來說較為成熟的階段,成為光電子技術(shù)的核心器件之一。目前,大功率半導(dǎo)體激光器廣泛應(yīng)用于光盤存儲、光纖通信、光纖傳感、激光顯示、固體激光器泵浦等領(lǐng)域[1],對于大

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