本文關鍵詞：量子點光電探測器特性及其讀出　出處：《華東師范大學》2017年碩士論文　論文類型：學位論文

  更多相關文章： 量子點光電探測器 靈敏度 I-V零點漂移 ROIC 電荷處理能力和大動態(tài)

【摘要】：2000年以來,量子點光電探測器(Quantum Dots Photodetector,QDPD)在性能和陣列規(guī)模逐步取得令人矚目的進步,通過與CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)讀出電路(Readout Circuit,ROIC)連接,正在推向應用層面。本文研究新穎量子點光電探測器特性及其讀出的主要內(nèi)容:(1)應用Apsys仿真軟件改變QDPD的結(jié)構(gòu)參數(shù):量子點密度、量子點層數(shù)、GaAs層厚度等,研究器件的光電流、暗電流、光電流與暗電流的比(Photocurrent Dark current Ratio,PDR)。進一步仿真研究雙勢壘阱中量子點光電探測器(Double Barrier Dots-in-well Photodetector,DB-DWELL-QDPD),共振增強量子點光電探測器(Resonant Cavity Enhance Photodetector,RCE-QDPD),分立吸收層、漸變層、電荷層和倍增層結(jié)構(gòu)雪崩倍增光電探測器(Separated Absorption,Arading,Charge,and Multiplication Avalanche Photodiodes,SAGCM-APD)模型。(2)應用Apsys仿真軟件研究光伏與光導型QDPD的I-V零點漂移機制。前者歸因于非對稱結(jié)構(gòu)的光伏效應,后者歸因于偏壓對器件電容的充放電,通過零點漂移電壓可以計算電容。(3)針對QDPD的實際特性,設計研究其讀出,研究120 dB高動態(tài)范圍,1.24 Ge-大電荷處理設計。流片測試結(jié)果證明了電路模塊的室溫與低溫性能。
[Abstract]:Since 2000, quantum Dots photodetectors (QDPDs) have made remarkable progress in performance and array size. Read out Circuit through the readout circuit with CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductors. ROIC-based connection. In this paper, the characteristics of novel quantum dot photodetectors and the main content of their readout are studied. (1) the Apsys simulation software is used to change the structure parameter of QDPD: quantum dot density. The photocurrent, dark current, photocurrent and dark current ratio of photocurrent Dark current Ratio are studied. The double Barrier Dots-in-well Photodetector in double barrier wells is further simulated. DB-DWELL-QDPDO, Resonant Cavity Enhance Photodetector, Resonant Quantum Dot photodetector. RCE-QDPDT, discrete absorption layer, gradient layer, charge layer and multiplier layer structure avalanche multiplier photodetector separated sorptionn Arading. Charge,and Multiplication Avalanche Photodiodes. SAGCM-APD model. 2) the I-V 00:00 drift mechanism of photovoltaic and photoconductive QDPD is studied by using Apsys simulation software, the former is attributed to the photovoltaic effect of asymmetric structure. The latter is attributed to the charge and discharge of the device capacitance due to the bias voltage. The capacitance can be calculated by the 00:00 drift voltage.) according to the actual characteristics of the QDPD, the readout is designed and studied, and the 120dB high dynamic range is studied. 1.24 Ge- large charge processing design. The performance of the circuit module at room temperature and low temperature is proved by the flow sheet test.
【學位授予單位】：華東師范大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2017
【分類號】：TN36

【參考文獻】

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本文編號：1435311