發(fā)布時(shí)間：2018-01-15 03:04

  本文關(guān)鍵詞：MOCVD反應(yīng)室溫度均勻性的研究　出處：《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年02期 　論文類(lèi)型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： MOCVD 感應(yīng)加熱 溫度均勻性

【摘要】：為研究一種有效提高M(jìn)OCVD反應(yīng)室溫度均勻性的方法,針對(duì)自主研發(fā)的大型立式MOCVD反應(yīng)室,建立二維模型,就激勵(lì)電流對(duì)反應(yīng)室溫度均勻性的影響進(jìn)行了分析。為提高溫度均勻性,通過(guò)改變不同電參數(shù)來(lái)觀察磁場(chǎng)及石墨盤(pán)表面徑向溫度的變化,發(fā)現(xiàn)電參數(shù)與加熱效率成正比,但是與加熱的均勻性成反比關(guān)系;在相同功率下,電流頻率上升將導(dǎo)致溫度均勻性下降。以上關(guān)系中反映出的合理的電參數(shù),在保證反應(yīng)溫度的同時(shí),保證了溫度均勻性,有利于薄膜生長(zhǎng)。
[Abstract]:In order to study an effective method to improve the temperature uniformity of MOCVD reaction cell, a two-dimensional model was established for the large vertical MOCVD reactor developed by ourselves. The effect of excitation current on the temperature uniformity of the reaction chamber was analyzed. In order to improve the temperature uniformity, the magnetic field and the radial temperature of graphite disk surface were observed by changing different electrical parameters. It is found that the electric parameters are directly proportional to the heating efficiency, but inversely proportional to the uniformity of the heating. At the same power, the increase of current frequency will lead to the decrease of temperature homogeneity, and the reasonable electrical parameters reflected in the above relations can ensure the temperature uniformity as well as the temperature homogeneity, which is beneficial to the film growth.
【作者單位】： 南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心;南昌大學(xué)信息工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863)(2012AA041002) 江西省科技廳重大科技專(zhuān)項(xiàng)(20114ABF06102)資助項(xiàng)目~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.055
【正文快照】： 1引言金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀(MOCVD)是目前生長(zhǎng)薄層單晶材料常用的方法[1-7]。該方法中,反應(yīng)室內(nèi)部加熱效果是生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)Ga N外延片的關(guān)鍵工藝條件。其中如何提高溫度均勻性是本文討論的核心問(wèn)題。溫度均勻性影響一爐成品的質(zhì)量,當(dāng)均勻性表現(xiàn)低下時(shí),不同區(qū)域薄膜材料質(zhì)量不

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