本文關(guān)鍵詞：自發(fā)形核生長的AlN單晶濕法腐蝕研究　出處：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年07期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：采用濕法腐蝕工藝,使用熔融態(tài)KOH和NaOH作為腐蝕劑,對一種物理氣相傳輸(PVT)自發(fā)形核新工藝在2100~2250℃條件下生長的AlN單晶進(jìn)行了腐蝕實(shí)驗(yàn)。通過實(shí)驗(yàn)及掃描電子顯微鏡(SEM)結(jié)果分析,得到了典型的AlN單晶c面、r系列面及m面最佳的腐蝕工藝參數(shù)及腐蝕形貌。另外,基于腐蝕形貌分析,發(fā)現(xiàn)了采用該自發(fā)形核新工藝生長的AlN晶體某些獨(dú)特習(xí)性并計(jì)算出Al N單晶腐蝕坑密度(EPD)。
[Abstract]:The wet etching process using molten KOH and NaOH as etchant, a physical gas phase transmission of (PVT) AlN crystal nucleation process of growth at 2100~2250 deg.c for corrosion experiments and scanning electron microscopy (SEM) results, the typical AlN single crystal c r, a series of corrosion parameters and M surfaces and the best corrosion morphology. In addition, based on the analysis of corrosion morphology, found the spontaneous growth of AlN crystal nucleus technology some unique habits and calculate the Al N single crystal etch pit density (EPD).

【作者單位】： 省部共建高品質(zhì)特殊鋼冶金與制備國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室上海市鋼鐵冶金新技術(shù)開發(fā)應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51401116,51404148) 上海市科委基金(13DZ1108200,13521101102)
【分類號】：TN304
【正文快照】： 1引言Al N屬于第三代半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙(禁帶寬度高達(dá)6.2 e V)、高熱導(dǎo)率(340 W/m×K)、高電阻率(1010Ω·cm)、高臨界擊穿電場、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)點(diǎn)[1,2],適用于制作高溫、高頻、大功率電子器件、表面聲波器件等特殊功能器件[3,4]。此外,Al N還具有良好的紫外透，

本文編號：1426297