本文關(guān)鍵詞：Si襯底表面圓柱形抗反射周期微結(jié)構(gòu)的設(shè)計及制作　出處：《紅外與激光工程》2016年06期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：應(yīng)用嚴(yán)格耦合波分析方法(RCWA),在本征硅片襯底表面設(shè)計并制作了一種圓柱形抗反射微結(jié)構(gòu)元件。通過MATLAB軟件模擬仿真確定其最優(yōu)參數(shù)組合,使反射率設(shè)計值為3%。應(yīng)用二元曝光技術(shù)和反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)制作了單面和雙面的圓柱形微結(jié)構(gòu),根據(jù)結(jié)果得到射頻功率、氣體流量及工作氣壓對微結(jié)構(gòu)側(cè)壁陡直度及形貌具有很大影響。還分析比較了形狀(t為實際柱頂面直徑與底面直徑之比)與反射率的關(guān)系。采用熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡對該結(jié)構(gòu)進(jìn)行形貌表征,綜合顯微成像紅外光譜儀對反射率進(jìn)行測量。實驗結(jié)果:制作了單面、雙面微結(jié)構(gòu)與無結(jié)構(gòu)本征硅片反射率做比較雙面圓柱形微結(jié)構(gòu)的抗反射效果最好,反射率達(dá)8%左右,基本達(dá)到抗反射設(shè)計要求。
[Abstract]:The strictly coupled wave analysis method is used. A cylindrical anti-reflection microstructural element was designed and fabricated on the substrate surface of intrinsic silicon wafer. The optimal parameter combination was determined by MATLAB software simulation. The reflectivity design value is 3. Using binary exposure technique and reactive ion etching technique, the cylindrical microstructures with one and two sides are fabricated, and the RF power is obtained according to the results. The gas flow rate and working pressure have great influence on the steepness and morphology of the microstructural side wall, and the ratio of the diameter of the actual cylinder top to the bottom surface is also analyzed and compared. The morphology of the structure was characterized by thermal field emission scanning electron microscope. The reflectivity was measured by integrated microimaging infrared spectrometer. The experimental results showed that the reflectivity of double-sided cylindrical microstructures was the best compared with that of unstructured intrinsic silicon wafers. The reflectivity is about 8%, which basically meets the requirements of anti-reflection design.
【作者單位】： 長春理工大學(xué)光電工程學(xué)院;華中光電技術(shù)研究所-武漢光電國家實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61108044) 吉林省自然科研基金(20150101038JC)
【分類號】：TN305.7;O435.1
【正文快照】： 0引言近年來,隨著微納光學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展,亞波長微結(jié)構(gòu)逐步走進(jìn)人們視野。此種微結(jié)構(gòu)可通過激光直寫、干法刻蝕等方法加工而成,此結(jié)構(gòu)不受材料限制,環(huán)境適應(yīng)性完全取決于襯底材料本身,可以有效克服薄膜材料熱膨脹不穩(wěn)定,粘附性差等問題。而研究理論采用矢量衍射理論作為支撐,因

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本文編號：1425950