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低功耗高精度全CMOS基準源的設(shè)計

發(fā)布時間:2018-01-14 07:42

  本文關(guān)鍵詞:低功耗高精度全CMOS基準源的設(shè)計 出處:《電子世界》2016年24期  論文類型:期刊論文


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【摘要】:基于華大九天EDA工具以及CSMC_0.18um工藝設(shè)計了一種適用于低功耗So C系統(tǒng)的高精度電壓基準模塊。電路后仿真結(jié)果表明,此電路在1.8V電源電壓下,-40~125℃的溫度系數(shù)為14.47ppm/℃,基準電壓源輸出電壓約為564m V,27℃時靜態(tài)電流約為402n A,電路總靜態(tài)功耗約為724n W(包含啟動電路),1k Hz時的電源抑制比為-39.55d B,電源上電后,電路能夠快速啟動,電路版圖面積(不包含外圍PAD)僅為0.0045mm~2。
[Abstract]:High precision voltage reference module based on hes EDA tools and CSMC_0.18um technology is designed for low power So C system. The simulation results show that the circuit, this circuit in 1.8V power supply, the temperature coefficient of -40~125 DEG 14.47ppm/ DEG C, reference voltage source output voltage is about 564m V, 27 C the static current is about 402n A, the total circuit static power consumption is about 724n W (including the start circuit), power supply 1K Hz when the suppression ratio is -39.55d B, after power up, the circuit can be started quickly, the circuit layout area (not including the peripheral PAD) is only 0.0045mm ~2.

【作者單位】: 福州大學物理與信息工程學院;
【分類號】:TN432
【正文快照】: 0前言 在集成電路設(shè)計中,基準電壓源隨處可見,幾乎所有的模擬和數(shù)字系統(tǒng)都需要用它來產(chǎn)生與溫度變化、電源電壓變化和工藝變化無關(guān)的直流電壓。電壓基準模塊是絕大多數(shù)So C系統(tǒng)中必不可少的基礎(chǔ)模塊,用以提供不隨PVT變化的電壓或者電流。隨著So C片上系統(tǒng)的發(fā)展,超大規(guī)模集成

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本文編號:1422669

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