本文關(guān)鍵詞：低功耗高精度全CMOS基準源的設(shè)計　出處：《電子世界》2016年24期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 基準源 低功耗 高精度

【摘要】：基于華大九天EDA工具以及CSMC_0.18um工藝設(shè)計了一種適用于低功耗So C系統(tǒng)的高精度電壓基準模塊。電路后仿真結(jié)果表明,此電路在1.8V電源電壓下,-40~125℃的溫度系數(shù)為14.47ppm/℃,基準電壓源輸出電壓約為564m V,27℃時靜態(tài)電流約為402n A,電路總靜態(tài)功耗約為724n W(包含啟動電路),1k Hz時的電源抑制比為-39.55d B,電源上電后,電路能夠快速啟動,電路版圖面積(不包含外圍PAD)僅為0.0045mm~2。
[Abstract]:High precision voltage reference module based on hes EDA tools and CSMC_0.18um technology is designed for low power So C system. The simulation results show that the circuit, this circuit in 1.8V power supply, the temperature coefficient of -40~125 DEG 14.47ppm/ DEG C, reference voltage source output voltage is about 564m V, 27 C the static current is about 402n A, the total circuit static power consumption is about 724n W (including the start circuit), power supply 1K Hz when the suppression ratio is -39.55d B, after power up, the circuit can be started quickly, the circuit layout area (not including the peripheral PAD) is only 0.0045mm ~2.

【作者單位】： 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院;
【分類號】：TN432
【正文快照】： 0前言 在集成電路設(shè)計中,基準電壓源隨處可見,幾乎所有的模擬和數(shù)字系統(tǒng)都需要用它來產(chǎn)生與溫度變化、電源電壓變化和工藝變化無關(guān)的直流電壓。電壓基準模塊是絕大多數(shù)So C系統(tǒng)中必不可少的基礎(chǔ)模塊,用以提供不隨PVT變化的電壓或者電流。隨著So C片上系統(tǒng)的發(fā)展,超大規(guī)模集成

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 李理;曹洪奎;韓穎;王冬霞;;基于Altium Designer環(huán)境下的多功能基準源設(shè)計[J];科技視界;2013年28期

2 葉潤濤,陳景銀;并聯(lián)式精密可調(diào)集成基準源[J];微電子學(xué)與計算機;1989年08期

3 李唯;;半導(dǎo)體精密基準源[J];電工技術(shù);1995年11期

4 王敏;何洋;原義棟;;基于基準源提出的一種環(huán)路穩(wěn)態(tài)分析方法[J];固體電子學(xué)研究與進展;2014年01期

5 張科;郭健民;孔明;李文宏;;一種可編程電壓基準源設(shè)計與實現(xiàn)(英文)[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2007年01期

6 馬超;劉永根;薛衛(wèi)東;張波;;一種高溫段指數(shù)曲率補償電壓基準源[J];微電子學(xué);2007年03期

7 郭麗芳;姚若河;李文冠;;低功耗CMOS電壓基準源的設(shè)計[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2008年12期

8 謝潔意;葉凌云;魏彬;;利用平均值電路提高直流電壓基準源的溫度特性[J];傳感器與微系統(tǒng);2012年08期

9 張立華;結(jié)型場效應(yīng)管基準源理論探討及實踐[J];電測與儀表;1983年08期

10 唐寧;李佐;李琦;;一種改進的非線性匹配高階補償基準源的設(shè)計[J];電子器件;2013年06期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 周澤坤;單片大功率DC-DC變換器高性能控制方法研究[D];電子科技大學(xué);2012年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 劉劍;影響基準源性能的因素研究[D];電子科技大學(xué);2005年

2 李帥;低壓低功耗CMOS基準源補償策略及電路設(shè)計[D];西安電子科技大學(xué);2010年

3 牟飛燕;低溫度系數(shù)高電源抑制的基準源設(shè)計與應(yīng)用[D];電子科技大學(xué);2010年

4 崔敬龍;高壓自偏置帶隙基準源的設(shè)計[D];遼寧大學(xué);2014年

5 趙思源;納米工藝下低壓低功耗高精度電壓基準源的研究與設(shè)計[D];電子科技大學(xué);2014年

6 徐嚴;基準源及其緩沖器的設(shè)計[D];電子科技大學(xué);2011年

7 丁大勝;用于超高速A/D轉(zhuǎn)換器的可編程高性能基準源設(shè)計[D];重慶大學(xué);2013年

8 沈路;低壓低功耗高精度基準源研究[D];電子科技大學(xué);2009年

9 田穎;抗工藝漲落的高性能電壓基準源設(shè)計[D];西安電子科技大學(xué);2010年

10 雷吉成;可調(diào)節(jié)電流基準源的設(shè)計[D];西安電子科技大學(xué);2012年

，

本文編號：1422669