本文關(guān)鍵詞：SOI基3C-SiC薄膜的光譜表征　出處：《光散射學(xué)報》2017年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：本文探索在SOI基片上通過頂層Si直接與碳源反應(yīng),反向外延生長3C-SiC薄膜的工藝條件和技術(shù)。采用LPCVD技術(shù),以CH4和H2混合氣體為反應(yīng)源,在SOI襯底上生長3C-SiC薄膜。采用X射線衍射分析儀、場發(fā)射掃描電子顯微鏡和傅里葉紅外光譜來研究樣品的結(jié)構(gòu)和性質(zhì);并研究反應(yīng)前、后樣品電壓-電容特性的變化。研究結(jié)果表明,通過反向外延的方法,能夠在SOI基片反向外延生長得到3C-SiC薄膜,但目前的工藝條件有待進(jìn)一步的改善。
[Abstract]:In this paper, the process conditions and techniques of 3C-SiC thin films grown on SOI substrates by direct reaction of top-layer Si with carbon source are investigated. LPCVD technique is used to grow 3C-SiC thin films by reverse epitaxy. 3C-SiC thin films were grown on SOI substrate using mixed gas of CH4 and H _ 2 as reaction source. X-ray diffraction analyzer was used. The structure and properties of the samples were studied by field emission scanning electron microscopy (SEM) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). The changes of the voltage-capacitance characteristics of the samples before and after the reaction are studied. The results show that 3C-SiC films can be grown by reverse epitaxy on SOI substrates. However, the present technological conditions need to be further improved.
【作者單位】： 四川大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院微電子技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：四川大學(xué)青年教師科研啟動基金(2010SCU11089)
【分類號】：TN304.055
【正文快照】： 1引言碳化硅(SiC)因具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn),在高溫、高頻、高壓、高功率和抗輻射電子器件等方面具有重要應(yīng)用,是極具潛力的寬禁帶半導(dǎo)體材料[1]。在SiC的同素異構(gòu)體中,立方碳化硅(3C-SiC)的穩(wěn)定性最高,并因高熱導(dǎo)率、高臨界擊穿電

【參考文獻(xiàn)】

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3 程順昌;楊治美;鐘玉杰;何毅;孫小松;龔敏;;一種新型硅基3C-SiC的生長方法及光譜學(xué)表征[J];光散射學(xué)報;2009年03期

【共引文獻(xiàn)】

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1 王飛;楊治美;馬瑤;龔敏;;SOI基3C-SiC薄膜的光譜表征[J];光散射學(xué)報;2017年02期

2 楊翰飛;楊治美;廖熙;龔敏;孫小松;;Si基3C-SiC反向外延的選擇生長和殘余應(yīng)力研究[J];四川大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2011年01期

3 楊治美;張云森;廖熙;楊翰飛;晉勇;孫小松;龔敏;;LPCVDSi基轉(zhuǎn)換生長3C-SiC薄膜的光學(xué)性質(zhì)初探[J];光散射學(xué)報;2009年04期

【二級參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 廖熙;楊治美;楊翰飛;龔敏;孫小松;;Si基3C-SiC薄膜的LPCVD反向外延研究[J];四川大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2010年06期

2 程順昌;楊治美;鐘玉杰;何毅;孫小松;龔敏;;一種新型硅基3C-SiC的生長方法及光譜學(xué)表征[J];光散射學(xué)報;2009年03期

3 馮敏,王玉芳,郝建民,藍(lán)國祥;拉曼光譜方法研究SiC晶體的晶型[J];光散射學(xué)報;2003年03期

【相似文獻(xiàn)】

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1 楊治美;張云森;廖熙;楊翰飛;晉勇;孫小松;龔敏;;LPCVDSi基轉(zhuǎn)換生長3C-SiC薄膜的光學(xué)性質(zhì)初探[J];光散射學(xué)報;2009年04期

2 ;[J];;年期

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本文編號：1420418