本文關(guān)鍵詞：基于CMOS工藝的射頻低噪聲放大器的設(shè)計　出處：《黑龍江大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

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【摘要】：隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,人與人之間的通訊方式已由有線轉(zhuǎn)變?yōu)闊o線通訊。射頻,是一種高頻電波,被廣泛應(yīng)用于無線通信領(lǐng)域。接收機作為無線通信領(lǐng)域中一部分,對其性能的要求非常嚴格。而低噪聲放大器,是接收機的第一個單元電路,也是非常重要的一個單元,決定著后續(xù)電路的很多性能的好壞。本文通過對無線通信系統(tǒng)的分析,設(shè)計了使用雙極型晶體管的低噪聲放大器以及使用MOS管的低噪聲放大器,使用ADS2009軟件對電路原理圖進行仿真。與雙極型晶體管設(shè)計電路相比,使用MOS管設(shè)計的低噪聲放大器具有穩(wěn)定性好,高增益,低噪聲系數(shù)等特點。電路采用TSMC 0.18μm工藝尺寸進行設(shè)計,仿真結(jié)果表明:在3V電源供電的情況下,使用雙極型晶體管設(shè)計的低噪聲放大器工作頻率為1.575GHz,帶寬大于3GHz,噪聲系數(shù)為4.703dB,增益為14.365dB;在1.8V電源供電的情況下,使用MOS管設(shè)計的低噪聲放大器穩(wěn)定性良好,工作頻率為1.575GHz,帶寬大于3GHz,增益為30.158dB,噪聲系數(shù)為1.572dB。使用Cadence軟件進行版圖的繪制。通過對比得到了最優(yōu)設(shè)計方案:使用MOS管設(shè)計低噪聲放大器,各項指標完成較好,具有高增益、低噪聲系數(shù)。
[Abstract]:With the development of science and technology , the communication between people and people has been changed from wired to wireless communication . The radio frequency is a kind of high - frequency radio wave , which is widely used in the field of wireless communication .

【學(xué)位授予單位】：黑龍江大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TN722.3
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本文編號：1412572