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雙控石墨烯超材料太赫茲調(diào)制器的雙頻反射特性(英文)

發(fā)布時(shí)間:2018-01-10 23:05

  本文關(guān)鍵詞:雙控石墨烯超材料太赫茲調(diào)制器的雙頻反射特性(英文) 出處:《山東科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2016年06期  論文類(lèi)型:期刊論文


  更多相關(guān)文章: 雙控 石墨烯 太赫茲反射調(diào)制器 弱激勵(lì) 強(qiáng)調(diào)制


【摘要】:設(shè)計(jì)了雙控太赫茲超材料調(diào)制器,并研究了其在太赫茲頻段內(nèi)兩個(gè)頻率處的反射特性。該調(diào)制器由開(kāi)口環(huán)諧振器及其底部的"三明治"結(jié)構(gòu)組成,"三明治"結(jié)構(gòu)從上到下依次為石墨烯層、聚酰亞胺層和金層,其中開(kāi)口諧振器的開(kāi)口處填充硅。該結(jié)構(gòu)可以通過(guò)電、光兩種方式調(diào)制,即分別對(duì)調(diào)制器中的石墨烯施加低電壓,對(duì)硅施加弱光照。結(jié)果顯示:反射譜在頻率0.806THz、1.869THz出現(xiàn)兩個(gè)共振反射谷,在滿(mǎn)足低激勵(lì)的條件下,增強(qiáng)兩種激勵(lì)均能改變共振反射谷的反射強(qiáng)度。兩個(gè)共振處的反射調(diào)制方向表現(xiàn)出先反向、后同向的特點(diǎn),其臨界點(diǎn)對(duì)應(yīng)的石墨烯費(fèi)米能級(jí)和硅電導(dǎo)率分別為13.489meV、970.54S/m。文章對(duì)同時(shí)施加兩種激勵(lì)的情況進(jìn)行了詳細(xì)研究,結(jié)果表明:同時(shí)施加兩種激勵(lì)的調(diào)制特性并非單獨(dú)施加激勵(lì)的數(shù)值疊加,電、光兩種調(diào)制方式相互獨(dú)立。在調(diào)制過(guò)程中,調(diào)制器出現(xiàn)的最大調(diào)制深度為99.74%。
[Abstract]:A dual-controlled terahertz supermaterial modulator is designed and its reflection characteristics at two frequencies in the terahertz band are studied. The modulator is composed of an open loop resonator and a "sandwich" structure at the bottom of the modulator. The "sandwich" structure is composed of graphene layer, polyimide layer and gold layer from top to bottom, in which the opening of the open resonator is filled with silicon. The structure can be modulated by electricity and light. That is to say, the graphene in the modulator is subjected to low voltage, and the weak light is applied to the silicon. The results show that there are two resonance reflection valleys in the reflection spectrum at the frequency of 0.806THzN 1.869 THz. Under the condition of satisfying the low excitation, the reflection intensity of the resonance reflection valley can be changed by enhancing the two kinds of excitation. The reflection modulation direction of the two resonance points shows the characteristics of first reverse and then same direction. The critical point corresponding to the graphene Fermi level and the silicon conductivity are 13.489meVN 970.54S / m respectively. The case of two kinds of excitation at the same time is studied in detail in this paper. The results show that the modulation characteristics of two kinds of excitation at the same time are not the numerical superposition of the single excitation, the two modulation modes of electricity and light are independent of each other, and in the process of modulation. The maximum modulation depth of the modulator is 99.74.
【作者單位】: 山東科技大學(xué)電子通信與物理學(xué)院;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61001018) 山東省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(ZR2016FM09) 山東省高等學(xué)?萍加(jì)劃項(xiàng)目(J13LN16) 青島市創(chuàng)新領(lǐng)軍人才項(xiàng)目(13-CX-25) 中國(guó)工程物理研究院太赫茲科學(xué)技術(shù)基金項(xiàng)目(201401) 青島經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)重點(diǎn)科技計(jì)劃項(xiàng)目(2013-1-64) 山東科技大學(xué)研究生創(chuàng)新基金項(xiàng)目(YC150354)
【分類(lèi)號(hào)】:TN761
【正文快照】: PACS:01.10.Hx,02.60.Cb,61.48.Gh,61.82.FkHigh speed modulators are very important components in electromagnetic fields because of their use-fulness in modulated lasers,construction of the on-chip interconnects in communication system[1-3],and datatransmis

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本文編號(hào):1407133

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