雙控石墨烯超材料太赫茲調(diào)制器的雙頻反射特性(英文)
本文關(guān)鍵詞:雙控石墨烯超材料太赫茲調(diào)制器的雙頻反射特性(英文) 出處:《山東科技大學學報(自然科學版)》2016年06期 論文類型:期刊論文
更多相關(guān)文章: 雙控 石墨烯 太赫茲反射調(diào)制器 弱激勵 強調(diào)制
【摘要】:設(shè)計了雙控太赫茲超材料調(diào)制器,并研究了其在太赫茲頻段內(nèi)兩個頻率處的反射特性。該調(diào)制器由開口環(huán)諧振器及其底部的"三明治"結(jié)構(gòu)組成,"三明治"結(jié)構(gòu)從上到下依次為石墨烯層、聚酰亞胺層和金層,其中開口諧振器的開口處填充硅。該結(jié)構(gòu)可以通過電、光兩種方式調(diào)制,即分別對調(diào)制器中的石墨烯施加低電壓,對硅施加弱光照。結(jié)果顯示:反射譜在頻率0.806THz、1.869THz出現(xiàn)兩個共振反射谷,在滿足低激勵的條件下,增強兩種激勵均能改變共振反射谷的反射強度。兩個共振處的反射調(diào)制方向表現(xiàn)出先反向、后同向的特點,其臨界點對應(yīng)的石墨烯費米能級和硅電導率分別為13.489meV、970.54S/m。文章對同時施加兩種激勵的情況進行了詳細研究,結(jié)果表明:同時施加兩種激勵的調(diào)制特性并非單獨施加激勵的數(shù)值疊加,電、光兩種調(diào)制方式相互獨立。在調(diào)制過程中,調(diào)制器出現(xiàn)的最大調(diào)制深度為99.74%。
[Abstract]:A dual-controlled terahertz supermaterial modulator is designed and its reflection characteristics at two frequencies in the terahertz band are studied. The modulator is composed of an open loop resonator and a "sandwich" structure at the bottom of the modulator. The "sandwich" structure is composed of graphene layer, polyimide layer and gold layer from top to bottom, in which the opening of the open resonator is filled with silicon. The structure can be modulated by electricity and light. That is to say, the graphene in the modulator is subjected to low voltage, and the weak light is applied to the silicon. The results show that there are two resonance reflection valleys in the reflection spectrum at the frequency of 0.806THzN 1.869 THz. Under the condition of satisfying the low excitation, the reflection intensity of the resonance reflection valley can be changed by enhancing the two kinds of excitation. The reflection modulation direction of the two resonance points shows the characteristics of first reverse and then same direction. The critical point corresponding to the graphene Fermi level and the silicon conductivity are 13.489meVN 970.54S / m respectively. The case of two kinds of excitation at the same time is studied in detail in this paper. The results show that the modulation characteristics of two kinds of excitation at the same time are not the numerical superposition of the single excitation, the two modulation modes of electricity and light are independent of each other, and in the process of modulation. The maximum modulation depth of the modulator is 99.74.
【作者單位】: 山東科技大學電子通信與物理學院;
【基金】:國家自然科學基金項目(61001018) 山東省自然科學基金項目(ZR2016FM09) 山東省高等學?萍加媱濏椖(J13LN16) 青島市創(chuàng)新領(lǐng)軍人才項目(13-CX-25) 中國工程物理研究院太赫茲科學技術(shù)基金項目(201401) 青島經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)重點科技計劃項目(2013-1-64) 山東科技大學研究生創(chuàng)新基金項目(YC150354)
【分類號】:TN761
【正文快照】: PACS:01.10.Hx,02.60.Cb,61.48.Gh,61.82.FkHigh speed modulators are very important components in electromagnetic fields because of their use-fulness in modulated lasers,construction of the on-chip interconnects in communication system[1-3],and datatransmis
【相似文獻】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 吳琪樂;;超材料石墨烯開發(fā)取得重大突破 克服了石墨烯技術(shù)應(yīng)用[J];半導體信息;2012年01期
2 程楊;姚佰承;吳宇;王澤高;龔元;饒云江;;基于倏逝場耦合的石墨烯波導光傳輸相位特性仿真與實驗研究[J];物理學報;2013年23期
3 ;科學家首次實現(xiàn)鍺基石墨烯大規(guī)模生長 將助推石墨烯在半導體工業(yè)界廣泛應(yīng)用[J];分析測試學報;2013年10期
4 趙佶;;臺灣逢甲大學石墨烯技術(shù) 將取代半導體[J];半導體信息;2012年03期
5 趙佶;;美研制出全新碳基半導體“一氧化石墨烯”[J];半導體信息;2012年03期
6 彭黎瓊;謝金花;郭超;張東;;石墨烯的表征方法[J];功能材料;2013年21期
7 丁明清;;從石墨烯開關(guān)看電子在石墨烯中的奇異行為[J];真空電子技術(shù);2013年04期
8 高永慧;路瑩;韓強;張剛;姜文龍;;石墨烯薄層對有機電致發(fā)光器件性能的影響[J];江蘇大學學報(自然科學版);2014年03期
9 翟萬江;;中外聯(lián)手發(fā)力:中國石墨烯全景圖首次浮現(xiàn) 2014中國國際石墨烯創(chuàng)新大會在寧波舉行[J];中國科技產(chǎn)業(yè);2014年08期
10 孫再吉;;美國濱州大學開發(fā)4英寸石墨烯晶圓[J];半導體信息;2010年05期
相關(guān)會議論文 前10條
1 董靖;姚朝暉;郝鵬飛;楊天中;姜麗麗;申承民;;石墨烯表面的浸潤性控制研究[A];中國力學大會——2013論文摘要集[C];2013年
2 丁明清;;從石墨烯開關(guān)看電子在石墨烯中的奇異行為[A];陶瓷金屬封接和真空電子與專用金屬材料分會年會專輯[C];2013年
3 杝隆建;田青禾;江e鸞x;;石墨烯材料應(yīng)用在發(fā)光二極體之發(fā)展技術(shù)[A];海峽兩岸第十八屆照明科技與營銷研討會專題報告暨論文集[C];2011年
4 甘雪濤;趙建林;;基于納米光子器件的集成石墨烯光電子學[A];2013年(第五屆)西部光子學學術(shù)會議論文集[C];2013年
5 吳長征;謝毅;;調(diào)控無機類石墨烯結(jié)構(gòu)電學行為在能源存儲器件中的應(yīng)用[A];中國化學會第29屆學術(shù)年會摘要集——第33分會:納米材料合成與組裝[C];2014年
6 胡廷偉;馬飛;馬大衍;徐可為;;外延石墨烯邊界山脊結(jié)構(gòu)形成機制的研究[A];中國真空學會2012學術(shù)年會論文摘要集[C];2012年
7 吳朝興;張永愛;周雄圖;李福山;郭太良;;三維石墨烯結(jié)構(gòu)的自組裝制備與場發(fā)射性能研究[A];中國電子學會真空電子學分會第十九屆學術(shù)年會論文集(下冊)[C];2013年
8 李林;孫旺寧;田士兵;夏曉翔;金愛子;李俊杰;顧長志;;花瓣狀少層石墨烯納米片復(fù)合納米硅錐陣列結(jié)構(gòu)的場發(fā)射特性研究[A];中國電子學會真空電子學分會第十九屆學術(shù)年會論文集(下冊)[C];2013年
9 張宇;鄧少芝;陳軍;許寧生;;直立少層石墨烯冷陰極的脈沖場發(fā)射特性[A];中國電子學會真空電子學分會第十九屆學術(shù)年會論文集(下冊)[C];2013年
10 高瑞玲;繆靈;宋家琪;吳憂;;硼氮摻雜石墨烯電子特性的第一性原理研究[A];2009中國功能材料科技與產(chǎn)業(yè)高層論壇論文集[C];2009年
相關(guān)重要報紙文章 前10條
1 記者 陳丹;電子間相互作用是石墨烯具備超性能的關(guān)鍵[N];科技日報;2012年
2 記者 劉霞;新方法讓石墨烯與硅基技術(shù)“聯(lián)姻”[N];科技日報;2013年
3 吳康迪;石墨烯晶體管:摩爾定律的延壽者[N];計算機世界;2008年
4 本報記者 馮衛(wèi)東 王小龍;未來晶體管由石墨烷造[N];科技日報;2009年
5 記者 劉霞;美研制出能在室溫工作的石墨烯變頻器[N];科技日報;2011年
6 張巍巍;德成功測量石墨烯內(nèi)光電行為[N];科技日報;2012年
7 記者 劉霞;三明治結(jié)構(gòu)可減少石墨烯晶體管電子泄露[N];科技日報;2012年
8 張巍巍;美制成超快高敏石墨烯光電探測器[N];科技日報;2012年
9 記者 王小龍;科學家開發(fā)出石墨烯-硅光電混合芯片[N];科技日報;2012年
10 記者 劉霞;石墨烯晶體管開關(guān)頻率提高1000倍[N];科技日報;2011年
相關(guān)博士學位論文 前10條
1 盛世威;石墨烯表面等離激元濾波器的研究[D];山東大學;2015年
2 陳拓;基于石墨烯的光子學器件的研究[D];浙江大學;2015年
3 蔡亦良;有機半導體及石墨烯在金屬表面的生長及其性質(zhì)研究[D];浙江大學;2015年
4 許坤;石墨烯的化學氣相沉積及其在光電器件中的應(yīng)用[D];北京工業(yè)大學;2015年
5 呂宏鳴;石墨烯場效應(yīng)管與射頻集成電路研究[D];清華大學;2015年
6 朱淼;石墨烯/硅異質(zhì)結(jié)光電探測器性能研究[D];清華大學;2015年
7 理記濤;氧化鋅/石墨烯復(fù)合回音壁模微腔受激輻射研究[D];東南大學;2015年
8 姜昊伯;石墨烯仿生微納結(jié)構(gòu)的激光加工及其儲能器件應(yīng)用[D];吉林大學;2016年
9 張學全;石墨烯的功能化及其光電性能研究[D];天津大學;2011年
10 姜立偉;關(guān)于石墨烯電子結(jié)構(gòu)調(diào)控的理論探討[D];吉林大學;2013年
相關(guān)碩士學位論文 前10條
1 胡俊;石墨烯表面等離子體波的傳輸特性及相關(guān)器件的應(yīng)用基礎(chǔ)研究[D];東南大學;2015年
2 甘桃;石墨烯的光電特性及其探測器技術(shù)[D];中國科學院研究生院(上海技術(shù)物理研究所);2016年
3 吳曉曉;基于石墨烯導電薄膜的柔性O(shè)LED制備與性能研究[D];福州大學;2014年
4 高潤綱;金屬銀修飾石墨烯紙的制備及性能研究[D];上海交通大學;2013年
5 韓碭;石墨烯化學氣相淀積生長、表征及機理研究[D];西安電子科技大學;2014年
6 孫樂;碳化硅外延石墨烯的工藝探究及表征[D];西安電子科技大學;2014年
7 田正文;基于石墨烯的側(cè)邊拋磨光纖和微納光纖光控特性研究[D];暨南大學;2015年
8 王朝成;毫米尺寸石墨烯單晶及器件研究[D];南昌大學;2015年
9 顧磊;基于4H-SiC襯底選擇性外延生長石墨烯[D];西安電子科技大學;2014年
10 付堯;石墨烯薄膜制備、場效應(yīng)晶體管構(gòu)建及其性能研究[D];電子科技大學;2012年
,本文編號:1407133
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1407133.html