發(fā)布時(shí)間：2018-01-10 16:39

  本文關(guān)鍵詞：類金字塔狀GaN微米結(jié)構(gòu)的生長及其形貌表征　出處：《材料導(dǎo)報(bào)》2017年22期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù),在非摻雜GaN層上原位生長SiNx掩模層,制備了形貌可控的類金字塔狀GaN微米結(jié)構(gòu),并系統(tǒng)研究了生長溫度、生長時(shí)間、反應(yīng)壓力和Ⅴ/Ⅲ比等不同生長參數(shù)對(duì)其形貌的影響。研究結(jié)果表明,在生長溫度為1 075℃時(shí),所生長的GaN呈現(xiàn)出類金字塔狀微米錐結(jié)構(gòu);當(dāng)生長時(shí)間由3 min延長至20 min時(shí),微米錐的底面直徑由3.6μm增大到19.8μm,密度由3.8×10~3cm~(-2)降低至0.8×10~3cm~(-2);壓力及Ⅴ/Ⅲ比共同決定該結(jié)構(gòu)頂部的微觀形貌(錐狀或截頂錐狀)。本工作的研究結(jié)果為GaN微鈉米結(jié)構(gòu)的原位可控生長奠定了一定基礎(chǔ),并有助于三維GaN基LED器件的進(jìn)一步發(fā)展。
[Abstract]:The effect of different growth parameters such as growth temperature , growth time , reaction pressure and 鈪，

本文編號(hào)：1405997