本文關(guān)鍵詞：絕緣層修飾對噴墨打印有機(jī)場效應(yīng)晶體管形貌和性能的影響　出處：《發(fā)光學(xué)報》2017年02期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 有機(jī)薄膜晶體管 噴墨打印 表面修飾 原子層沉積

【摘要】：通過對OTFT絕緣層SiO_2表面分別采用十八烷基三氯硅烷(OTS)處理和原子層沉積薄層氧化鋁的修飾方式,制備了噴墨打印有機(jī)薄膜晶體管并研究了修飾前后絕緣層的表面形貌、接觸角及有源層的物相結(jié)構(gòu)。雖然絕緣層的表面形貌在修飾前后變化不大,但是表面接觸角和打印后有源層的物相結(jié)構(gòu)有較大差別。OTS處理和沉積氧化鋁修飾后,器件的遷移率比修飾前分別增大了4倍和9倍,而開關(guān)比則分別增大了1個和4個數(shù)量級。修飾后的最大遷移率可達(dá)0.35 cm~2/(V·s),開關(guān)比可達(dá)6.0×10~6。
[Abstract]:Based on the OTFT insulation layer SiO_2 surface by using eighteen three alkyl chlorosilane (OTS) and atomic layer deposition of thin layer of alumina was prepared by modified method, inkjet printing organic thin film transistor and to study the morphology of the surface of the insulation layer before and after modification, the contact angle and the active layer structure. Although little change in surface morphology of insulating layer in the modification, but the surface contact angle and printed active layer phase structure has a larger difference between.OTS treatment and deposition of alumina modified device mobility than unmodified increased respectively 4 times and 9 times, while the switch ratio is increased respectively 1 and 4 orders of magnitude. The modified maximum the migration rate of up to 0.35 cm~2/ (V - s), the switch ratio can reach 6 * 10~6.

【作者單位】： 福州大學(xué)平板顯示技術(shù)國家地方聯(lián)合工程實驗室;福建工程學(xué)院信息科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家重點研發(fā)計劃(2016YFB0401103) 國家自然科學(xué)基金(51503039) 福建省自然科學(xué)基金(2016J01749) 福建省中青年教師教育科研項目(JA15350)資助~~
【分類號】：TN321.5
【正文快照】： Supported by National Key Research and Development Plan(2016YFB0401103);National Natural Science Foundation of China(51503039);Natural Science Foundation of Fujian Province(2016J01749);Young Teacher Education Research Project of Fu-jian Province(JA15350)

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本文編號：1404231