本文關(guān)鍵詞：一種基于點(diǎn)壓技術(shù)的新型晶圓鍵合方法　出處：《焊接學(xué)報》2016年09期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 晶圓鍵合 熱壓鍵合 金金鍵合 點(diǎn)壓鍵合法

【摘要】：金金熱壓鍵合法在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛,為了進(jìn)一步改進(jìn)該鍵合方法,首次提出了一種基于點(diǎn)壓技術(shù)的新型晶圓鍵合方法,并研究了工藝溫度、壓強(qiáng)以及時間對點(diǎn)壓鍵合法單點(diǎn)鍵合面積的影響.通過超聲掃描顯微鏡圖像,著重比較了傳統(tǒng)金金熱壓鍵合法與點(diǎn)壓鍵合法的鍵合面積比.對點(diǎn)壓鍵合法的可選擇鍵合性進(jìn)行了討論.結(jié)果表明,點(diǎn)壓鍵合法工藝步驟簡單,工藝穩(wěn)定性較好,且具有一定的可選擇鍵合特性,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中將具有廣泛的應(yīng)用前景.
[Abstract]:In order to further improve the bonding method , a novel wafer bonding method based on point pressing technology is proposed for the first time in the field of semiconductor manufacturing , and the influence of process temperature , pressure and time on the legal single bond area of the point pressing bond is studied .

【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國科學(xué)院微電子研究所高頻高壓器件與集成研發(fā)中心;中國科學(xué)院微電子研究所智能感知研發(fā)中心;
【分類號】：TN305
【正文快照】： 0序言晶圓鍵合作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一項日益重要的技術(shù),受到了越來越廣泛的關(guān)注.通常來說,晶圓鍵合指的是半導(dǎo)體晶圓之間進(jìn)行黏合的工藝過程.在當(dāng)今快速發(fā)展的半導(dǎo)體行業(yè)中,這項技術(shù)被廣泛應(yīng)用在SOI(silicon-on-insulator),LED(light emittingdiode)和MEMS(micro-electro-mec

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本文編號：1403364