本文關鍵詞：一種基于點壓技術的新型晶圓鍵合方法　出處：《焊接學報》2016年09期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： 晶圓鍵合 熱壓鍵合 金金鍵合 點壓鍵合法

【摘要】：金金熱壓鍵合法在半導體制造領域中應用廣泛,為了進一步改進該鍵合方法,首次提出了一種基于點壓技術的新型晶圓鍵合方法,并研究了工藝溫度、壓強以及時間對點壓鍵合法單點鍵合面積的影響.通過超聲掃描顯微鏡圖像,著重比較了傳統(tǒng)金金熱壓鍵合法與點壓鍵合法的鍵合面積比.對點壓鍵合法的可選擇鍵合性進行了討論.結果表明,點壓鍵合法工藝步驟簡單,工藝穩(wěn)定性較好,且具有一定的可選擇鍵合特性,在半導體制造領域中將具有廣泛的應用前景.
[Abstract]:In order to further improve the bonding method , a novel wafer bonding method based on point pressing technology is proposed for the first time in the field of semiconductor manufacturing , and the influence of process temperature , pressure and time on the legal single bond area of the point pressing bond is studied .

【作者單位】： 中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術重點實驗室;中國科學院微電子研究所高頻高壓器件與集成研發(fā)中心;中國科學院微電子研究所智能感知研發(fā)中心;
【分類號】：TN305
【正文快照】： 0序言晶圓鍵合作為半導體制造領域的一項日益重要的技術,受到了越來越廣泛的關注.通常來說,晶圓鍵合指的是半導體晶圓之間進行黏合的工藝過程.在當今快速發(fā)展的半導體行業(yè)中,這項技術被廣泛應用在SOI(silicon-on-insulator),LED(light emittingdiode)和MEMS(micro-electro-mec

【相似文獻】

相關期刊論文 前6條

1 朱學林;劉剛;田揚超;;一種PMMA表面改性的熱壓鍵合方法研究[J];微細加工技術;2005年04期

2 H.Hatfnagel;B.L.Weiss;張鐵橋;;器件制作過程在砷化鎵中產生的位錯[J];半導體情報;1975年03期

3 婁書禮;高溫工作壽命試驗技術研究[J];固體電子學研究與進展;1993年02期

4 劉志強;王良臣;伊曉燕;郭恩卿;王國宏;李晉閩;;垂直結構GaN基LEDs熱壓鍵合應力損傷分析[J];半導體技術;2009年10期

5 姚李英;張瑜;陳濤;王升啟;左鐵釧;;激光制備PMMA基PCR微流控芯片的熱壓鍵合研究[J];激光雜志;2006年01期

6 ;[J];;年期

相關碩士學位論文 前2條

1 王鈞;塑料芯片熱壓鍵合設備壓力系統(tǒng)研究[D];大連理工大學;2004年

2 蔡明先;納米多孔銅結構低溫熱壓鍵合技術研究[D];華中科技大學;2012年

，

本文編號：1403364