本文關鍵詞：PECVD變結構腔室熱流場耦合規(guī)律研究　出處：《真空科學與技術學報》2016年11期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：在真空半導體產業(yè)中,等離子體增強化學氣相沉積腔室內熱流場耦合的參數控制是生產工藝過程決定產品質量的關鍵因素。通過變結構腔室內溫度和壓力耦合測量試驗驗證,得到正確可行的針對變結構腔室三維模型熱流場耦合計算的仿真算法。對比試驗結果,依次改變腔室入口流量、出口壓力以及承載臺溫度的大小,分析計算腔室內溫度和壓力的耦合分布特性。變結構腔室中熱流場耦合分布規(guī)律,為真空腔室結構設計及參數控制提供理論依據。
[Abstract]:In a vacuum in the semiconductor industry, plasma enhanced chemical vapor deposition chamber flow field coupling control parameters are key factors in the production process of product quality. The variable structure chamber temperature and pressure coupling measurement test, simulation algorithm for variable structure cavity three-dimensional model flow field coupling calculation is correct and feasible. Contrast test the results, in order to change the chamber entrance flow, outlet pressure and temperature of the size of bearing platform, coupling analysis of distribution characteristics calculation of chamber temperature and pressure in the chamber. The variable structure coupling flow field distribution, and provide a theoretical basis for the structural design and control parameters of the vacuum chamber.

【作者單位】： 五邑大學軌道交通學院;五邑大學機電工程學院;
【基金】：國家科技重大專項資助項目(2011ZX02403-004)
【分類號】：TN405
【正文快照】： 極大規(guī)模集成電路制造裝備中(簡稱IC裝備),為了提高產品設計制造質量,物理氣相沉積(PVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)和刻蝕等中間重要環(huán)節(jié)都需要在高真空度的工藝腔室內完成,而衡量真空腔室性能的主要指標是工藝過程的均勻性[1-2]。決定工藝腔室工藝均勻性的因素有很多，

本文編號：1403318