本文關鍵詞：分子自組裝在有機場效應晶體管中的應用　出處：《重慶大學》2015年碩士論文　論文類型：學位論文

  更多相關文章： 分子自組裝 界面修飾 石墨烯 紅熒烯 場效應晶體管

【摘要】：盡管有機場效應晶體管(OFET)的綜合性能已經(jīng)有了很大的提高,但就器件的總體發(fā)展水平而言,有機場效應晶體管的性能還不能滿足商業(yè)化的要求。限制有機場效應晶體管應用的因素之一是器件的載流子遷移率不高,因此本文就器件的載流子遷移率以及開關電流比偏低的問題對器件的制備工藝進行優(yōu)化。研究內(nèi)容主要集中在利用分子自組裝薄膜來修飾柵絕緣層的表面,期望自組裝分子薄膜的存在能提高有機場效應晶體管的載流子遷移率以及開關電流比。主要研究內(nèi)容如下:文章的第一部分介紹了有機場效應晶體管的研究進展,敘述了器件的工作原理、表征參數(shù)、半導體薄膜的制備工藝以及器件性能的影響因素。此外還介紹了分子自組裝技術(shù)包括分子自組裝的機理、自組裝的方法,綜述了分子自組裝在有機場效應晶體管中的應用。文章的第二部分詳細討論了十三氟辛基三甲基氧基硅烷(PFTS)、9-蒽甲基磷酸(AYPA)、3-氨基丙基三甲氧基硅烷(ATS)三種自組裝分子對石墨烯場效應晶體管性能的影響。采用底柵頂接觸式結(jié)構(gòu)以石墨烯為有源層,Si O2為絕緣層。研究結(jié)果表明,經(jīng)自組裝分子AYPA、PFTS、ATS修飾絕緣層后,器件的載流子遷移率有了明顯的提高,器件的最大空穴遷移率可達2904 cm2V-1s-1,電子遷移率可達2243 cm2V-1s-1。文章的第三部分重點討論了ADO-PA自組裝分子對紅熒烯器件性能的影響。以Si O2為絕緣層,紅熒烯作為有源層,采用底柵頂接觸式結(jié)構(gòu)制備有機場效應晶體管。研究結(jié)果表明,經(jīng)ADO-PA自組裝分子修飾絕緣層后,器件的性能有了明顯的提升,載流子遷移率可達0.18 cm2V-1s-1,開關電流比為2.2×105。
[Abstract]:Although the overall performance of the Airport effect Transistor (OFET) has been greatly improved, but the overall development level of the device. The performance of FET can not meet the requirements of commercialization. One of the factors limiting the application of FET is the low carrier mobility of devices. Therefore, the fabrication process of the device is optimized for the low carrier mobility and the switching current ratio. The research focuses on the molecular self-assembly film to modify the surface of the gate insulation layer. It is expected that the existence of self-assembled molecular thin films can improve the carrier mobility and the switching current ratio of the airfield effect transistors. The main research contents are as follows:. In the first part of this paper, the research progress of the field effect transistors is introduced. The working principle, characterization parameters, preparation process of semiconductor film and the influencing factors of device performance are described. In addition, the molecular self-assembly technology including the mechanism of molecular self-assembly and the method of self-assembly are also introduced. The application of molecular self-assembly in airfield effect transistors is reviewed. In the second part of the paper, the 13 fluorooctyl trimethoxysilane (PFTS) 9-anthracene methyl phosphoric acid (AYPA) is discussed in detail. The effect of three kinds of self-assembled molecules on the performance of graphene field effect transistors was studied. The bottom gate top contact structure was used to use graphene as the active layer. The results show that the carrier mobility of the device is improved obviously after the self-assembled molecule AYPA-PFTSU ATS is used to modify the insulator layer. The maximum hole mobility of the device can reach 2904 cm2V-1s-1. The electron mobility can reach 2243 cm2V-1s-1.In the third part of this paper, the effect of ADO-PA self-assembled molecules on the properties of red fluorene devices is discussed. Sio _ 2 is used as the insulating layer. As an active layer, red fluorene is used to fabricate the airport effect transistor with bottom gate top contact structure. The results show that the performance of the device is improved obviously after modified by ADO-PA self-assembly molecule. The carrier mobility can reach 0.18 cm2V-1s-1 and the switching current ratio is 2.2 脳 105.
【學位授予單位】：重慶大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TN386

【相似文獻】

相關期刊論文 前10條

1 Paul O’Shea;;研究者用碳60制造出高性能場效應晶體管[J];今日電子;2008年04期

2 江興;;研究者用碳60制造出高性能場效應晶體管[J];半導體信息;2008年04期

3 孫再吉;;碳60制作的高性能場效應晶體管[J];半導體信息;2008年05期

4 ;科學家開發(fā)新超導場效應晶體管[J];光機電信息;2011年05期

5 鄭冬冬;;美研制出新式超導場效應晶體管[J];半導體信息;2011年03期

6 武建國;;貼片場效應晶體管工作原理及檢測(上)[J];家電檢修技術(shù);2011年21期

7 武建國;;貼片場效應晶體管工作原理及檢測(下)[J];家電檢修技術(shù);2011年23期

8 ;美科學家構(gòu)造出一個超薄超導場效應晶體管[J];電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗;2012年06期

9 徐烽;;作開關用的場效應晶體管[J];半導體情報;1971年01期

10 David M.Miller ,Robert G.Meyer ,余玉龍;場效應晶體管的非線性與交擾調(diào)制[J];科技譯報;1972年02期

相關會議論文 前10條

1 陳永真;;新型高耐壓大功率場效應晶體管[A];新世紀 新機遇 新挑戰(zhàn)——知識創(chuàng)新和高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展（上冊）[C];2001年

2 陶春蘭;董茂軍;張旭輝;張福甲;;并五苯場效應晶體管的研制[A];第六屆中國功能材料及其應用學術(shù)會議論文集（2）[C];2007年

3 張亞杰;湯慶鑫;胡文平;李洪祥;;有機-無機復合單晶場效應晶體管[A];中國化學會第26屆學術(shù)年會有機固體材料分會場論文集[C];2008年

4 黃學斌;朱春莉;郭云龍;張仕明;劉云圻;占肖衛(wèi);;卟啉-三并噻吩共軛聚合物的合成及其場效應晶體管特性[A];中國化學會第26屆學術(shù)年會有機固體材料分會場論文集[C];2008年

5 趙廣耀;董煥麗;江浪;趙華平;覃翔;胡文平;;并五苯類似物單晶場效應晶體管及其在乙醇氣體探測中的應用[A];第十六屆全國晶體生長與材料學術(shù)會議論文集-08納米晶體及其表征[C];2012年

6 張亞杰;董煥麗;胡文平;;基于酞菁銅有機單晶微納米帶的雙極性場效應晶體管及化學傳感器[A];全國第八屆有機固體電子過程暨華人有機光電功能材料學術(shù)討論會摘要集[C];2010年

7 溫雨耕;狄重安;吳衛(wèi)平;郭云龍;孫向南;張磊;于貴;劉云圻;;硫醇修飾對N-型傒酰亞胺場效應晶體管性能的影響[A];全國第八屆有機固體電子過程暨華人有機光電功能材料學術(shù)討論會摘要集[C];2010年

8 劉南柳;周焱;彭俊彪;裴堅;王堅;;提拉法制備圖案化有機納米線場效應晶體管[A];全國第八屆有機固體電子過程暨華人有機光電功能材料學術(shù)討論會摘要集[C];2010年

9 于海波;田孝軍;于鵬;董再勵;;碳納米管場效應晶體管的自動化裝配方法研究[A];2008’“先進集成技術(shù)”院士論壇暨第二屆儀表、自動化與先進集成技術(shù)大會論文集[C];2008年

10 呂琨;狄重安;劉云圻;于貴;邱文豐;;基于并三噻吩共聚物的空氣穩(wěn)定的OFET研究[A];中國化學會第26屆學術(shù)年會有機固體材料分會場論文集[C];2008年

相關重要報紙文章 前6條

1 記者 劉霞;美研制出新式超導場效應晶體管[N];科技日報;2011年

2 劉霞;隧道場效應晶體管可為計算機節(jié)能99%[N];科技日報;2011年

3 記者 吳長鋒 通訊員 楊保國;我科學家成功制備二維黑磷場效應晶體管[N];科技日報;2014年

4 湖南 黃金貴 編譯;場效應晶體管傳感器的偏置點電路[N];電子報;2013年

5 成都 史為 編譯;場效應晶體管和晶體三極管[N];電子報;2013年

6 張弛;芯片巨頭合力研究“零待機”芯片[N];網(wǎng)絡世界;2011年

相關博士學位論文 前10條

1 肖永光;鐵電場效應晶體管的保持性能與負電容效應研究[D];湘潭大學;2013年

2 劉林盛;場效應晶體管的大信號模型研究[D];電子科技大學;2011年

3 劉一陽;并五苯類有機小分子場效應晶體管材料的合成與器件制備[D];蘭州大學;2010年

4 塔力哈爾·夏依木拉提;酞菁銅單晶微納場效應晶體管在氣體傳感器中的應用基礎研究[D];東北師范大學;2013年

5 陶春蘭;并五苯性質(zhì)的研究及其場效應晶體管的研制[D];蘭州大學;2009年

6 蔡彬;新型氧化錫微納單晶場效應晶體管的設計及其在氣體傳感領域中的應用[D];東北師范大學;2014年

7 王偉;有機薄膜場效應晶體管、發(fā)光和顯示驅(qū)動[D];吉林大學;2006年

8 焦廣泛;隧穿場效應晶體管和InGaAs場效應晶體管的可靠性研究[D];復旦大學;2012年

9 楊茹;垂直溝道偶載場效應晶體管（VDCFET）的研究[D];北京師范大學;2004年

10 李建豐;有機功能材料蒽偶低聚物的合成及其場效應晶體管的研究[D];蘭州大學;2009年

相關碩士學位論文 前10條

1 田小婷;GaSb/InAs異質(zhì)結(jié)隧穿場效應晶體管的性能分析[D];內(nèi)蒙古大學;2015年

2 曹露雅;有機雙極型薄膜場效應晶體管的制備和應用[D];蘭州大學;2015年

3 鄒素芬;新型有機小分子場效應晶體管器件的制備及性能研究[D];杭州師范大學;2015年

4 史柯利;聚合物場效應晶體管的制備以及性能研究[D];北京化工大學;2015年

5 李圣威;三柵場效應晶體管（FinFET）電學特性的建模與仿真[D];復旦大學;2014年

6 陳玉成;基于并五苯的有機光敏場效應晶體管的性能研究[D];電子科技大學;2014年

7 秦亞;基于鐵電場效應晶體管的基本門電路及靈敏放大器的TCAD模擬[D];湘潭大學;2015年

8 吳傳祿;電離輻射對MFIS型鐵電場效應晶體管電學性能的影響[D];湘潭大學;2015年

9 彭龍;雙柵隧穿場效應晶體管的模型研究[D];湘潭大學;2015年

10 李凱;基于鐵電場效應晶體管的查找表的設計與仿真[D];湘潭大學;2015年

，

本文編號：1399896