本文關(guān)鍵詞：片上太赫茲天線集成器件LT-GaAs外延轉(zhuǎn)移工藝　出處：《紅外與毫米波學(xué)報》2017年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：提供了一種實(shí)現(xiàn)片上太赫茲天線集成器件光電導(dǎo)開關(guān)材料低溫GaAs(LT-GaAs)外延層的轉(zhuǎn)移工藝,使用HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7·H_2O溶液-H_2O_2-HCl腐蝕體系化學(xué)濕法腐蝕分子束外延(MBE)生長的外延材料,Hall測試表明MBE生長的此外延材料電阻率在106Ω·cm量級.剝離半絕緣GaAs(SI-GaAs)襯底層與Al_(0.9)Ga_(0.1)As犧牲層得到1.5μm LT-GaAs與環(huán)烯烴聚合物(COP)鍵合的結(jié)構(gòu).原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、高倍顯微鏡形貌表征表明剝離后的結(jié)構(gòu)表面平整光滑,表面粗糙度(RMS)為2.28 nm,EDAX能譜儀分析顯示該結(jié)構(gòu)中不含Al組分,滿足光刻形成光電導(dǎo)開關(guān)的要求.
[Abstract]:Provides a realization of on-chip antenna integrated device of THz photoconductive switch materials at low temperature GaAs (LT-GaAs) epitaxial layer transfer process, using HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7 - H_2O solution -H_2O_2-HCl corrosion system of chemical wet etching of molecular beam epitaxy (MBE) epitaxial material growth, Hall test showed that the resistivity of MBE epitaxial materials grown in 106. Cm. The magnitude of stripping semi insulating GaAs. (SI-GaAs) substrate layer and Al_ (0.9) Ga_ (0.1) As sacrificial layer to obtain 1.5 m LT-GaAs (COP) and cyclic olefin polymer bonded structures. Atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), high power microscope morphology characterization showed that the structure of smooth surface after stripping the smooth surface roughness (RMS) of 2.28 nm, EDAX energy spectrum analysis shows that the structure does not contain Al components, meet the lithographically formed photoconductive switch requirements.

【作者單位】： 中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所超快診斷技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;西安交通大學(xué);中國科學(xué)院大學(xué);中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)光電子信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室;首都師范大學(xué)物理系太赫茲光電子學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11204190,61274125) 北京市教育委員會科技計劃面上項目(KM201610028005) 科技部“國家重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)專項”基金(2012YQ14005)~~
【分類號】：TN304.23
【正文快照】： 郭春妍1,2,3,徐建星3,4,彭紅玲5,倪海橋4,汪韜1,田進(jìn)壽1,牛智川4*,吳朝新2,左劍6,張存林6(1.中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所超快診斷技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,陜西西安710119;2.西安交通大學(xué),陜西西安710049;3.中國科學(xué)院大學(xué),北京100049;4.中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)

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7 張雅鑫;胡e，

本文編號：1396967