本文關(guān)鍵詞：一種快速瞬態(tài)響應(yīng)、高效率、高穩(wěn)定性LDO芯片的設(shè)計(jì)　出處：《電子科技大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

  更多相關(guān)文章： 快速瞬態(tài)響應(yīng) 高效率 高穩(wěn)定性 低壓差線性穩(wěn)壓器

【摘要】：電源管理芯片是當(dāng)今電子系統(tǒng)中的重要組成部分,目前電源管理電路正在向著高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高集成度的方向發(fā)展。低壓差線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Regulator,LDO)具有低噪聲、低成本、應(yīng)用簡單、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),一直是電源管理領(lǐng)域的重要組成部分。LDO具有輸出電壓無紋波的特點(diǎn),非常適合應(yīng)用于模擬電路、射頻電路等低噪聲場合,目前LDO越來越多的被應(yīng)用在移動(dòng)電子設(shè)備中。本文圍繞LDO的性能指標(biāo)、頻率穩(wěn)定性、瞬態(tài)響應(yīng)及其改進(jìn)方式等方面對(duì)LDO進(jìn)行了研究。然后設(shè)計(jì)了一款快速瞬態(tài)響應(yīng)、高效率、高穩(wěn)定性LDO芯片,最后對(duì)該LDO芯片整體電路進(jìn)行了軟件仿真。本論文首先介紹了LDO的各組成部分和工作原理,同時(shí)總結(jié)了LDO各項(xiàng)性能指標(biāo),以及它們各自所代表的含義和計(jì)算表達(dá)式,在此基礎(chǔ)上介紹了各組成部分對(duì)LDO性能指標(biāo)的影響,進(jìn)而得出在LDO設(shè)計(jì)中應(yīng)該如何對(duì)各項(xiàng)性能指標(biāo)進(jìn)行折中考慮。本論文研究了普通LDO零極點(diǎn)的分布情況,介紹了傳統(tǒng)頻率補(bǔ)償方法以及后來發(fā)展出的新型補(bǔ)償方法。接著對(duì)LDO的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)進(jìn)行了詳細(xì)介紹,分析了負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的影響因素,同時(shí)介紹了一些提高瞬態(tài)響應(yīng)性能的方法。本文設(shè)計(jì)的快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)LDO基于TSMC的0.5μmCMOS工藝。文章首先設(shè)計(jì)了LDO的各個(gè)模塊,然后對(duì)穩(wěn)壓環(huán)路進(jìn)行了補(bǔ)償,采用了一種大驅(qū)動(dòng)能力的緩沖級(jí)來提高LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度。軟件仿真結(jié)果顯示,在最大負(fù)載電流為500mA的情況下壓降僅為200 mV,當(dāng)輸出電容為10μF、負(fù)載電流在1μs內(nèi)滿負(fù)載跳變時(shí),輸出電壓過沖值在21 mV以內(nèi),最大下沖的恢復(fù)時(shí)間在15μs以內(nèi),最大負(fù)載電流條件下的靜態(tài)電流為111μA,最大電流效率為99.97%,滿足設(shè)計(jì)要求。
[Abstract]:This paper studies the performance index , frequency stability , transient response and improvement of LDO . At the same time , it introduces the performance index , frequency stability , transient response and improvement of LDO . At the same time , it introduces the performance index , frequency stability , transient response and improvement of LDO .

【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN402

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本文編號(hào)：1396268