本文關(guān)鍵詞：集成運(yùn)算放大器的中子輻照損傷效應(yīng)研究　出處：《核電子學(xué)與探測技術(shù)》2016年07期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 集成運(yùn)算放大器 中子輻照效應(yīng) 損傷機(jī)理 實驗與仿真

【摘要】：論文針對雙極型運(yùn)算放大器的中子輻照損傷效應(yīng)開展實驗與理論研究。從雙極型器件的中子輻照損傷機(jī)理出發(fā),考慮器件電流增益隨中子注量的退化,對集成運(yùn)放的偏置電流、開環(huán)增益、共模抑制比與電源抑制比等敏感參數(shù)展開試驗與理論研究�；谥凶虞椪論p傷系數(shù),針對集成運(yùn)放中敏感參數(shù)隨中子注量的退化進(jìn)行仿真研究,并通過電路敏感性分析明確運(yùn)放中子輻照損傷的敏感器件與敏感單元。
[Abstract]:In this paper, the neutron radiation damage effect of bipolar operational amplifier is studied experimentally and theoretically. Based on the neutron radiation damage mechanism of bipolar device, the degradation of device current gain with neutron flux is considered. The sensitive parameters such as bias current, open-loop gain, common-mode rejection ratio and power supply rejection ratio of the integrated operational amplifier are studied experimentally and theoretically. The sensitive parameters of integrated operational amplifier are simulated with the degradation of neutron flux, and the sensitive devices and sensitive elements of neutron irradiation damage in operational amplifier are determined by circuit sensitivity analysis.
【作者單位】： 廣東工業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院;工業(yè)和信息化部電子第五研究所電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)重點實驗室;
【分類號】：TN722.77
【正文快照】： 第五研究所電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)重點實驗室,廣東廣州510610)隨著空間科學(xué)和航天技術(shù)的迅速發(fā)展,雙極型器件與線性電路被廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事設(shè)備及核反應(yīng)堆等具有強(qiáng)輻射性的環(huán)境[1]。在高能輻射環(huán)境下,中子入射將在半導(dǎo)體材料的帶隙中引入一個或多個能級穩(wěn)

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 吳仲墀;羅振華;;中子輻照對硅晶體電學(xué)性能的影響[J];上海金屬.有色分冊;1981年03期

2 吳恩,吳書祥,毛晉昌,秦國剛;中子輻照氫氣生長區(qū)熔硅中一個新的三斜對稱缺陷[J];半導(dǎo)體學(xué)報;1986年01期

3 曾慶明;;抗中子輻照器件結(jié)構(gòu)參數(shù)的確定[J];半導(dǎo)體情報;1987年05期

4 周荷秀,路金印,吳有臣,李銳;硅高壓整流器件的中子輻照效應(yīng)研究[J];微電子學(xué);1988年06期

5 T.F Wrobel,D.C Evans,胡紹武;先進(jìn)雙極微電路的快速退火[J];微電子學(xué);1984年05期

6 戚盛勇;正電子檢測直拉硅的中子輻照缺陷[J];復(fù)旦學(xué)報(自然科學(xué)版);1986年04期

7 沈　華，朱文章，吳孫桃，，謝敬仁，陳儀明;中子輻照的單晶硅參數(shù)研究[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1994年02期

8 尚也淳,張義門,張玉明;中子輻照下的6H-SiCpn結(jié)電特性分析[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2000年07期

9 楊遇春;在反應(yīng)堆內(nèi)進(jìn)行硅的“摻雜”[J];稀有金屬;1978年04期

10 杜永昌,張玉峰,秦國剛;低劑量中子輻照氫氣氛和氬氣氛生長區(qū)熔硅的深能級瞬態(tài)譜研究[J];半導(dǎo)體學(xué)報;1984年01期

相關(guān)會議論文 前10條

1 李興華;李養(yǎng)賢;陳貴鋒;劉麗麗;蔡莉莉;楊帥;李洪濤;;快中子輻照直拉硅的退火機(jī)制[A];第十四屆全國分子光譜學(xué)術(shù)會議論文集[C];2006年

2 劉麗麗;楊帥;陳貴鋒;潘夢宵;馬巧云;李養(yǎng)賢;王寶義;;快中子輻照直拉硅中的空位型缺陷研究[A];第九屆全國正電子譜學(xué)會議論文集[C];2005年

3 白小燕;林東生;陳偉;郭曉強(qiáng);王桂珍;楊善潮;李瑞賓;劉巖;金曉明;;兩種典型電子元器件的中子輻照損傷分布研究[A];第十屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會論文集[C];2009年

4 牛振紅;王永海;劉洪艷;崔帥;李志峰;張力;;基于DSP的計算機(jī)中子輻照效應(yīng)研究[A];第十屆全國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖學(xué)術(shù)年會論文集[C];2009年

5 王祖軍;陳偉;王桂珍;唐本奇;肖志剛;黃紹艷;劉敏波;張勇;劉以農(nóng);;中子輻照超深亞微米NMOSFET的數(shù)值模擬研究初探[A];第二屆全國核技術(shù)及應(yīng)用研究學(xué)術(shù)研討會大會論文摘要集[C];2009年

6 劉麗麗;馬巧云;陳貴鋒;楊帥;李養(yǎng)賢;;快中子輻照微氮直拉硅中氧沉淀的FTIR研究[A];華北地區(qū)硅酸鹽學(xué)會第八屆學(xué)術(shù)技術(shù)交流會論文集[C];2005年

7 丁有錢;楊志紅;張生棟;崔安智;;~(95)Y亞快化分離裝置的研制[A];第七屆全國核化學(xué)與放射化學(xué)學(xué)術(shù)討論會論文摘要集[C];2005年

8 王祖軍;唐本奇;張勇;肖志剛;黃紹艷;;中子輻照誘導(dǎo)CCD電荷轉(zhuǎn)移效率降低的數(shù)值模擬與分析[A];2004全國圖像傳感器技術(shù)學(xué)術(shù)交流會議論文集[C];2004年

9 黃文達(dá);李燕;尹端芷;石雙惠;顧嘉輝;田家祺;王振杰;宋海軍;劉靜怡;施德堂;;快中子輻照Hg產(chǎn)生Au同位素[A];第八屆全國核物理會議文摘集（下冊）[C];1991年

10 楊帥;馬巧云;劉鐵駒;李養(yǎng)賢;李永章;牛勝利;李洪濤;牛萍娟;;快中子輻照CZ-Si的FTIR分析[A];第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集Ⅱ[C];2004年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 祝威;大劑量中子輻照單晶材料的特性研究[D];天津大學(xué);2012年

2 王鵬飛;中子輻照6H-SiC的缺陷分析與應(yīng)用[D];天津大學(xué);2013年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 侯貝貝;中子輻照6H-SiC的光學(xué)性質(zhì)及缺陷分析[D];天津大學(xué);2014年

2 張得璽;一種新型GaN功率開關(guān)器件（GIT）中子輻照效應(yīng)研究[D];西安電子科技大學(xué);2015年

3 崔文元;星系中子輻照量分布函數(shù)[D];河北師范大學(xué);2004年

4 張偉娟;星系中子輻照量分布函數(shù)[D];河北師范大學(xué);2007年

5 李興華;快中子輻照直拉硅輻照缺陷的研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2007年

6 劉麗麗;快中子輻照摻氮直拉硅中氧沉淀及誘生缺陷研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2006年

7 黃麗;中子輻照6H-SiC的缺陷回復(fù)及其拉曼光譜研究[D];天津大學(xué);2012年

8 陳敬;中子輻照6H-SiC晶體的電學(xué)性能及其退火研究[D];天津大學(xué);2013年

9 馬巧云;快中子輻照直拉硅中氧沉淀及誘生缺陷研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2005年

10 楊帥;快中子輻照直拉硅的電學(xué)性能及輻照缺陷研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2005年

本文編號：1384206