本文關(guān)鍵詞：紫外納米壓印技術(shù)的研究進展　出處：《微納電子技術(shù)》2017年05期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：傳統(tǒng)的紫外納米壓印(UV-NIL)雖然不受曝光波長的限制,但是存在氣泡殘留、壓印不均勻、模具壽命短等問題。為解決這些問題產(chǎn)生了各種新型UV-NIL工藝,針對這些工藝闡述了紫外納米壓印技術(shù)工藝要素的最新研究進展,包括模具、光刻膠的材料與制備技術(shù)的現(xiàn)狀,并列舉了步進-閃光壓印光刻(S-FIL)、卷對卷式紫外納米壓印光刻(R2R-NIL)等工藝的流程及其特點。紫外納米壓印的圖形質(zhì)量目前仍受光刻膠填充、固化、脫模等物理行為影響。結(jié)合最近的實驗研究,從理論方面概述了紫外納米壓印的基本原理,主要指出了光刻膠流動行為以及模具降解等問題。最后介紹了一些紫外納米壓印技術(shù)的尖端應(yīng)用。
[Abstract]:The traditional ultraviolet nanoimprint lithography (UV-NIL) although the exposure wavelength limit, but there are air bubbles, the imprint is not uniform, problems of short service life of the mould. The variety of new UV-NIL technology to solve these problems, according to the process described in the latest research on UV nanoimprint technology factors including mold the photoresist material and preparation technology of the status quo, and lists the step and flash imprint lithography (S-FIL), roll type ultraviolet nanoimprint lithography (R2R-NIL) process and characteristics of such process. Ultraviolet nanoimprint lithography pattern quality is still by the photoresist filling, curing, demoulding and other physical behavior combined with recent experimental study from the theoretical aspects, summarizes the basic principle of UV nanoimprint lithography, the main points of the photoresist mold flow behavior and degradation problems. Finally introduces some UV nanoimprint technology tip End application.

【作者單位】： 河海大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)工程學(xué)院;
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 0引言納米技術(shù)在現(xiàn)代科技中有著不可或缺的作用,歷經(jīng)三十多年的發(fā)展,納米科技已成為量子力學(xué)、分子生物學(xué)、微電子技術(shù)等多個現(xiàn)代科學(xué)與技術(shù)結(jié)合的產(chǎn)物,而納米技術(shù)的應(yīng)用更是涉及多個產(chǎn)業(yè)。就微電子領(lǐng)域而言,2015年國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖(international technology roadmap

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本文編號：1383560