本文關(guān)鍵詞：高溫下液硅的潤(rùn)濕性　出處：《材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào)》2017年02期 　論文類(lèi)型：期刊論文

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【摘要】：液硅在耐高溫材料上的潤(rùn)濕性對(duì)于低成本太陽(yáng)能電池生產(chǎn)過(guò)程中硅的精煉和鑄造具有重要的研究意義。為了研究液硅的潤(rùn)濕性,采用座滴法分別研究真空和氬氣氣氛以及不同溫度條件下液硅在高純石墨以及剛玉基底材料上的接觸角。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,高純石墨基底材料表面越粗糙,液硅所形成的接觸角越小,從而潤(rùn)濕性越好;真空條件下液硅在剛玉上的接觸角并沒(méi)有隨著加熱溫度的上升呈現(xiàn)下降的趨勢(shì),而是在88°~90°的范圍內(nèi)波動(dòng),分析圖像的過(guò)程中可明顯看到液硅在剛玉基底材料上左右來(lái)回蠕動(dòng)的現(xiàn)象。
[Abstract]:The wettability of liquid silicon on high temperature resistant materials is of great significance for the refining and casting of silicon in the production of low cost solar cells, in order to study the wettability of liquid silicon. The contact angles of liquid silicon on high purity graphite and corundum substrates were studied by drop method in vacuum and argon atmosphere and at different temperatures. The experimental results show that the surface of high purity graphite substrate is rougher. The smaller the contact angle of liquid silicon is, the better the wettability is. Under vacuum condition, the contact angle of liquid silicon on corundum does not decrease with the increase of heating temperature, but fluctuates in the range of 88 擄~ 90 擄. In the process of image analysis, the phenomenon of liquid silicon creeping back and forth on corundum substrate can be seen obviously.
【作者單位】： 常州大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院江蘇省光伏科學(xué)與工程協(xié)同創(chuàng)新中心;江蘇省光伏科學(xué)與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育建設(shè)點(diǎn);
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)資助項(xiàng)目(51335002) 江蘇省優(yōu)勢(shì)學(xué)科建設(shè)工程資助項(xiàng)目 江蘇省高校青藍(lán)工程資助項(xiàng)目
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.12
【正文快照】： 1引言在高溫材料科學(xué)與工程的許多領(lǐng)域,液態(tài)金屬-陶瓷系統(tǒng)的潤(rùn)濕性是一個(gè)關(guān)鍵要素[1-2]。單晶硅和多晶硅的生產(chǎn)中,采用的方法主要為傳統(tǒng)的Czochralski(CZ)法以及連續(xù)鑄錠法[3]。另外還出現(xiàn)了如限邊喂膜法[4]、硅蹼法[5]、橫向拉膜法[6]等新型晶硅生產(chǎn)方法。生產(chǎn)中與高溫液硅接

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4 冒海燕;周定國(guó);楊蕊;賈，

本文編號(hào)：1381902