本文關(guān)鍵詞：有機(jī)薄膜晶體管的模擬研究　出處：《江南大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

  更多相關(guān)文章： 有機(jī)薄膜晶體管 模擬 雙柵 短溝道 門電路

【摘要】：由于可以通過(guò)簡(jiǎn)單的工藝實(shí)現(xiàn),薄膜晶體管自誕生以來(lái)就受到了廣泛關(guān)注,有機(jī)薄膜晶體管更是由于其材料的易合成、環(huán)境友好、可制造成柔性器件等優(yōu)點(diǎn)成為了重要的研究課題。雖然近幾十年來(lái)有機(jī)薄膜晶體管在遷移率等方面的特性已經(jīng)取得了很大的研究進(jìn)展,但是關(guān)于有機(jī)薄膜晶體管的理論研究尚不成熟,本文列舉了一些關(guān)于有機(jī)材料的載流子輸運(yùn)模型以及單雙柵有機(jī)薄膜晶體管的直流電流電壓模型,并使用器件模擬工具Silvaco對(duì)有機(jī)薄膜晶體管進(jìn)行了模擬研究。器件模擬可以在不制造出實(shí)際器件的前提下模擬分析器件的物理特性和電學(xué)特性,既節(jié)約成本又能提高效率。本文使用器件模擬軟件Silvaco對(duì)有機(jī)薄膜晶體管進(jìn)行了模擬研究,研究主要分為以下幾個(gè)方面:(1)模擬研究了溝道長(zhǎng)度、有源層厚度、絕緣層厚度、絕緣層介電常數(shù)以及缺陷態(tài)分布對(duì)器件輸出特性的影響,特別對(duì)比分析了單雙柵有機(jī)薄膜晶體管的特性,并探討了電極厚度對(duì)雙柵器件輸出特性的影響。(2)模擬研究了小尺寸有機(jī)薄膜晶體管的短溝道效應(yīng),分析了降低短溝道效應(yīng)的方法,并探討了柵極與源漏電極交疊長(zhǎng)度對(duì)器件截止頻率的影響。(3)實(shí)現(xiàn)了由有機(jī)薄膜晶體管搭建的反相器電路,使用atlas的混仿模式模擬分析了4種不同的反相器電路:由p型有機(jī)薄膜晶體管和n型IGZO薄膜晶體管共同構(gòu)成的反相器電路、單獨(dú)由2個(gè)或4個(gè)單柵有機(jī)薄膜晶體管構(gòu)成的反相器電路以及僅由兩個(gè)p型雙柵有機(jī)薄膜晶體管構(gòu)成的反相器電路。并在此基礎(chǔ)上模擬研究了由有機(jī)薄膜晶體管搭建的“與非”門、“或非”門電路。綜合以上三個(gè)方面的模擬結(jié)果表明雙柵有機(jī)薄膜晶體管在輸出特性、短溝道特性以及門電路實(shí)現(xiàn)等方面均優(yōu)于單柵有機(jī)薄膜晶體管。
[Abstract]:Thin film transistors have attracted extensive attention since their birth because they can be realized by simple technology. Organic thin film transistors are more environmentally friendly because of their easy synthesis. Fabrication of flexible devices has become an important research topic, although in recent decades, the characteristics of organic thin film transistors in mobility and other aspects have made great progress. However, the theoretical study of organic thin film transistors is not yet mature. In this paper, some carrier transport models of organic materials and DC current voltage models of single and double gate organic thin film transistors are listed. The device simulation tool Silvaco is used to simulate the organic thin film transistor. The device simulation can simulate and analyze the physical and electrical characteristics of the device without making the actual device. Both cost saving and efficiency can be improved. In this paper, the organic thin film transistors are simulated by the device simulation software Silvaco. The influence of channel length, thickness of active layer, thickness of insulation layer, dielectric constant of insulation layer and distribution of defect state on the output characteristics of the device are studied by simulation. In particular, the characteristics of single and double gate organic thin film transistors are compared and analyzed, and the effect of electrode thickness on the output characteristics of double gate devices is discussed. (2) the short channel effect of small scale organic thin film transistors is studied by simulation. The method of reducing short channel effect is analyzed, and the effect of the overlap length of gate and source leakage electrode on the cutoff frequency of the device is discussed. The inverter circuit constructed by organic thin film transistor is realized. In this paper, four different inverter circuits are simulated and analyzed by using the mixed mode of atlas. The inverters are composed of p-type organic thin film transistors and n-type IGZO thin film transistors. Two or four single gate organic thin film transistors and only two p-type double gate organic thin film transistors are used to simulate and study the organic thin film transistors. "built." And not the door. Synthesizing the simulation results of the above three aspects, the results show that the double gate organic thin film transistors are superior to the single gate organic thin film transistors in output characteristics, short channel characteristics and gate realization.
【學(xué)位授予單位】：江南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN321.5

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本文編號(hào)：1377872