本文關(guān)鍵詞：基于陰離子表面活性劑的銅CMP后清洗新型堿性清洗液　出處：《微納電子技術(shù)》2017年11期 　論文類(lèi)型：期刊論文

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【摘要】：銅布線化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后清洗的主要對(duì)象是CMP工藝后在銅表面的殘留物,包括硅溶膠顆粒、金屬離子與有機(jī)物殘留。采用PVA刷洗的清洗方式對(duì)CMP后表面殘留的硅溶膠顆粒與表面吸附的苯并三氮唑(BTA)的去除進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。通過(guò)原子力顯微鏡(AFM)和接觸角測(cè)量?jī)x對(duì)兩種陰離子表面活性劑(十二烷基苯磺酸(LABSA)和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸銨(AESA))與FA/O型非離子表面活性劑在堿性環(huán)境中對(duì)硅溶膠顆粒及BTA的去除效果進(jìn)行分析表征,并對(duì)去除效果進(jìn)行了對(duì)比。實(shí)驗(yàn)得出此兩種陰離子表面活性劑在較低質(zhì)量分?jǐn)?shù)下就能達(dá)到FA/O型非離子表面活性劑在高質(zhì)量分?jǐn)?shù)下才有的顆粒去除效果。AESA在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.05%時(shí)配合質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.015%的FA/OⅡ型螯合劑不僅能有效去除晶圓表面沾污的硅溶膠顆粒,同時(shí)能有效去除表面沾污的BTA。
[Abstract]:In this paper , the removal effects of silica sol particles on the surface of the surface of the CMP process were investigated by means of atomic force microscopy ( AFM ) and contact angle measuring instrument .

【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;天津市電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃02科技重大專(zhuān)項(xiàng)資助項(xiàng)目(2016ZX02301003-004-007) 國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(NSFC61504037) 河北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(E2013202247,F2015202267) 河北省博士后擇優(yōu)資助項(xiàng)目(B2015003010) 天津市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(16JCYBJC16100)
【分類(lèi)號(hào)】：TN405
【正文快照】： 2.天津市電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,天津300130)0引言銅是65 nm以下IC制程中的金屬互連材料,在多層布線工藝中,應(yīng)用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)表面的平坦化。在拋光液中作為研磨料的硅溶膠顆粒與作為抗蝕劑的苯并三氮唑(BTA)是Cu-CMP工藝后晶圓表面殘留的主要污染物。銅線條

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本文編號(hào)：1375589