本文關(guān)鍵詞：Si基中短波雙色HgCdTe材料生長及表征　出處：《激光與紅外》2017年05期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：報(bào)道了碲鎘汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究進(jìn)展�；诂F(xiàn)有Si基中波、短波HgCdTe材料工藝基礎(chǔ),開發(fā)獲得了Si基中短波雙色HgCdTe材料的生長工藝。使用反射式高能電子衍射分析在線監(jiān)測(cè)生長過程,優(yōu)化了Si基中短波雙色HgCdTe材料生長工藝。獲得了具有良好晶體質(zhì)量的Si基中短波雙色HgCdTe材料。
[Abstract]:In this paper, the latest progress in molecular beam epitaxy (MBE) of mercury cadmium telluride (HgCdTe) is reported, based on the technological basis of Si based medium wave and short wave HgCdTe materials. The growth process of short wave and double color HgCdTe materials on Si substrate was developed and the growth process was monitored on-line by reflection high energy electron diffraction analysis. The growth process of medium and short wave bicolor HgCdTe based on Si substrate was optimized, and a medium and short wave double color HgCdTe material with good crystal quality was obtained.
【作者單位】： 華北光電技術(shù)研究所;
【分類號(hào)】：TN215
【正文快照】： 1引言在現(xiàn)代戰(zhàn)場(chǎng)上,紅外成像系統(tǒng)在越來越多的武器系統(tǒng)中得到了應(yīng)用。隨著紅外探測(cè)技術(shù)的不斷發(fā)展,紅外隱身技術(shù)也在不斷提高,通過使在特定波段上目標(biāo)與環(huán)境背景具有相似的發(fā)射率,從而導(dǎo)致紅外目標(biāo)對(duì)比度的下降,難以識(shí)別。地球大氣中的紅外輻射窗口有1~2.5μm,3~5μm和8~14μm

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3 鄧飛;黃劍鋒;曹麗云;吳建鵬;賀海燕;;硅酸釔材料的研究進(jìn)展[J];宇航材料工藝;2006年06期

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本文編號(hào)：1374935