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飛秒激光參數(shù)對(duì)硅表面微結(jié)構(gòu)影響的研究

發(fā)布時(shí)間:2018-01-01 09:15

  本文關(guān)鍵詞:飛秒激光參數(shù)對(duì)硅表面微結(jié)構(gòu)影響的研究 出處:《光學(xué)儀器》2016年05期  論文類型:期刊論文


  更多相關(guān)文章: 表面微結(jié)構(gòu) 黑硅 脈沖寬度 激光峰值功率


【摘要】:為了制備出表面具有準(zhǔn)規(guī)則排列的微米量級(jí)錐形尖峰結(jié)構(gòu)的黑硅材料,在SF6氣體氛圍中,用一定能量密度的飛秒脈沖激光照射單晶硅片表面。針對(duì)激光通量和激光峰值功率這兩個(gè)參量分別進(jìn)行實(shí)驗(yàn),具體分析了15fs和130fs脈沖寬度的飛秒激光脈沖作用下硅表面微結(jié)構(gòu)的形成,不同實(shí)驗(yàn)條件下制備出的硅微納結(jié)構(gòu)也有明顯的差異。研究表明,在同一背景氣體下,激光的峰值功率對(duì)硅表面微結(jié)構(gòu)的形成起著決定性的作用。
[Abstract]:In order to prepare the black silicon material with quasi - regular ordered micron conical spike structure on the surface , the surface of single crystal silicon is irradiated by femtosecond pulse laser with certain energy density in SF6 gas atmosphere . For the laser flux and laser peak power , the formation of microstructure of silicon surface under different experimental conditions is analyzed . The results show that the peak power of laser plays a decisive role in the formation of silicon surface microstructure under the same background gas .

【作者單位】: 上海理工大學(xué)上海市現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;上海理工大學(xué)光電信息與計(jì)算機(jī)工程學(xué)院;
【基金】:國(guó)家重大儀器專項(xiàng)(2011YQ150021、2012YQ15009205) 上海市教育委員會(huì)上海市教育發(fā)展基金會(huì)“晨光計(jì)劃”(12CG54)
【分類號(hào)】:TN304.12;TN249
【正文快照】: 引言目前,激光技術(shù)的發(fā)展越來越迅速,采用激光技術(shù)對(duì)固體材料進(jìn)行性質(zhì)的改善和研究也越來越普遍。在特定氣體SF6條件下,硅材料表面在飛秒激光脈沖的作用下會(huì)生成一種表面呈黑色的比較特別的微納結(jié)構(gòu),能在表面產(chǎn)生這種微結(jié)構(gòu)的硅材料稱為黑硅[1]。與通常的硅材料相比,這種黑硅

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本文編號(hào):1363875

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