本文關(guān)鍵詞：FinFET器件技術(shù)簡(jiǎn)介　出處：《科技展望》2016年16期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： DELTA FinFET 短溝道效應(yīng) 漏極感應(yīng)勢(shì)壘降低 亞閾特性退化

【摘要】：22nm、14nm工藝代中,鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Fin Field-Effect Transistor,Fin FET)因?yàn)槠渲谱鞴に嚺c傳統(tǒng)的平面溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的制作工藝的兼容性更好,逐漸成為主流的器件結(jié)構(gòu)。本文介紹Fin FET器件的發(fā)展歷程,以及當(dāng)前較為常見(jiàn)的Fin FET結(jié)構(gòu)及其相應(yīng)的特點(diǎn)。
[Abstract]:Fin Field-Effect Transistor is used in 22nm ~ 14nm process. Fin FETs are fabricated with traditional planar channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors (FET). Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. The fabrication process of MOSFET is more compatible and has gradually become the mainstream device structure. This paper introduces the development of Fin FET devices. And the current Fin FET structure and its corresponding characteristics.
【作者單位】： 國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作廣東中心;
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 1前言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,柵氧化層厚度、耗盡層深度、溝道長(zhǎng)度不斷降低,短溝道效應(yīng)(Short Channel Effect,SCE)引起的漏極感應(yīng)勢(shì)壘降低(Drain Induced Barrier Lowering,DIBL)、亞閾特性退化越加明顯。傳統(tǒng)的平面型MOSFET在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展遇到了前所未有的困難。Fin FE

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本文編號(hào)：1363584