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互補(bǔ)雙極集成電路(CBIC)工藝平臺(tái)的開發(fā)及仿真設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2017-12-24 23:09

  本文關(guān)鍵詞:互補(bǔ)雙極集成電路(CBIC)工藝平臺(tái)的開發(fā)及仿真設(shè)計(jì) 出處:《北京工業(yè)大學(xué)》2016年碩士論文 論文類型:學(xué)位論文


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【摘要】:隨著科技的不斷發(fā)展進(jìn)步,很多電子系統(tǒng)中對集成運(yùn)算放大器速度、帶寬以及更小能耗都提出了更高的性能要求而互補(bǔ)雙極模擬電路工藝滿足這些要求的新高速寬帶集成運(yùn)算放大器最佳選擇;パa(bǔ)雙極工藝能在同一芯片上獲得具有極小寄生電容的高頻縱向NPN晶體管和PNP晶體管,這樣可以在很小的靜態(tài)電流下具有很高的特征頻率和工作速度,使運(yùn)算放大器具有高速、大電流驅(qū)動(dòng)、高頻特性好等優(yōu)勢。燕東微電子有限公司原有的IC工藝生產(chǎn)平臺(tái)中,縱向PNP管不具備自由集電極,而橫向PNP晶體管的特征頻率只有縱向PNP晶體管的1%左右。本論文基于燕東公司現(xiàn)有的2um雙極集成電路工藝,以計(jì)算機(jī)輔助軟件進(jìn)行工藝流程及器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),并以仿真軟件的仿真結(jié)果為指導(dǎo),在生產(chǎn)線上開發(fā)了2umCBIC工藝。首先,在現(xiàn)有成熟工藝平臺(tái)基礎(chǔ)上,針對CBIC工藝平臺(tái)中的核心內(nèi)容——自由集電極縱向PNP晶體管的隔離技術(shù)進(jìn)行探討、建模。通過TCAD軟件進(jìn)行流程仿真、結(jié)構(gòu)仿真,根據(jù)仿真結(jié)果選取最優(yōu)工藝方案,得出相關(guān)工藝條件,實(shí)現(xiàn)以PN結(jié)進(jìn)行隔離。并設(shè)置單項(xiàng)試驗(yàn),將單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)所得實(shí)際數(shù)據(jù)與仿真結(jié)果進(jìn)行對比、分析。然后,針對基于互補(bǔ)雙極工藝特定產(chǎn)品(LF50AB),根據(jù)產(chǎn)品要求的電參數(shù)建模,用TCAD軟件進(jìn)行參數(shù)仿真,實(shí)現(xiàn)自由集電極縱向PNP晶體管的的制造并使之電參數(shù)與NPN晶體管相近,通過仿真得出相近的PNP管及NPN管電特性曲線。再用L-Edit進(jìn)行產(chǎn)品的版圖及PCM版圖設(shè)計(jì),并用T-Spice軟件對版圖進(jìn)行功能仿真。最后,根據(jù)仿真結(jié)果改進(jìn)原有工藝,優(yōu)化生產(chǎn)工藝流程,并實(shí)際投片生產(chǎn)。對流片結(jié)果與仿真結(jié)果進(jìn)行對比,驗(yàn)證自由集電極縱向PNP晶體管的各項(xiàng)電特性。對產(chǎn)品的不足給出改進(jìn)方案。
【學(xué)位授予單位】:北京工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN405;TP391.9

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本文編號(hào):1330337

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