本文關(guān)鍵詞：Ge摻雜碳化硅晶體的生長缺陷　出處：《無機材料學(xué)報》2016年11期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：采用物理氣相傳輸法(PVT)制備了2英寸Ge摻雜和非摻SiC晶體,并使用二次離子質(zhì)譜儀(SIMS)、顯微拉曼光譜(Raman spectra)儀、體式顯微鏡、激光共聚焦顯微鏡(LEXT)和高分辨X射線衍射(HRXRD)儀等測試手段對其進行了表征。結(jié)果表明,Ge元素可以有效地摻入SiC晶體材料中,且摻雜濃度達到2.52′1018/cm3,伴隨生長過程中Ge組份的消耗和泄漏,摻雜濃度逐漸降低;生長初期高濃度Ge摻雜會促使6H-SiC向15R-SiC晶型轉(zhuǎn)化,并隨著生長過程中Ge濃度的降低快速地轉(zhuǎn)回6H-SiC穩(wěn)定生長。用LEXT顯微鏡觀察發(fā)現(xiàn),生長初期過高的Ge摻雜導(dǎo)致空洞明顯增多,位錯密度增加,摻雜晶體中位錯密度較非摻晶體增大一倍。HRXRD分析表明摻Ge能增大SiC晶格常數(shù),這將有利于提高與外延III族氮化物材料適配度,并改善器件的性能。
【作者單位】： 山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室;全球能源互聯(lián)網(wǎng)(山東)協(xié)同創(chuàng)新中心;
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863計劃)(2015AA033302) 國家自然科學(xué)基金(51321091,51502156)~~
【分類號】：TN304
【正文快照】： (1.State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100,China;2.Collaborative Innovation Centerfor Global Energy Interconnection(Shandong),Jinan 250061,China)碳化硅(Si C)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,相對于常見的Si和Ga As等半導(dǎo)體材料,

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本文編號：1329811