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基于無線指揮的有機(jī)電致發(fā)光器件的特性及實(shí)驗(yàn)

發(fā)布時(shí)間:2017-12-24 00:23

  本文關(guān)鍵詞:基于無線指揮的有機(jī)電致發(fā)光器件的特性及實(shí)驗(yàn) 出處:《信息技術(shù)》2016年11期  論文類型:期刊論文


  更多相關(guān)文章: 有機(jī)電致發(fā)光器件 電子傳輸材料 開啟電壓 電流效率 微腔效應(yīng)


【摘要】:深入探究了多層有機(jī)電致發(fā)光器件的特性及優(yōu)勢(shì)。理論上分析了器件的電場(chǎng)與局域態(tài)的特性關(guān)系,設(shè)計(jì)了類似夾層式的兩次堆疊雙層有機(jī)層的實(shí)驗(yàn)結(jié)構(gòu),采用了電子傳輸材料Bphen來進(jìn)行相關(guān)器件的制作。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:疊層器件的開啟電壓幾乎高出單層器件的開啟電壓值的一倍;疊層器件相比單層器件的電流效率高出1.5倍以上;疊層器件會(huì)產(chǎn)生微腔效應(yīng),設(shè)計(jì)內(nèi)部連接層結(jié)構(gòu)十分便捷有效。上述結(jié)果對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體器件的在無線指揮中的發(fā)展具有一定的理論和實(shí)踐意義。
【作者單位】: 南寧市公安局交通警察支隊(duì)科研所;
【分類號(hào)】:TN383.1
【正文快照】: 0引言有機(jī)固體電子器件的研究和應(yīng)用最早可以追溯到20世紀(jì)60年代,當(dāng)時(shí)人們?cè)谟袡C(jī)電致發(fā)光器件的制備中使用了有機(jī)半導(dǎo)體材料單晶蒽,但是并沒有引起廣泛關(guān)注[1]。直到80年代后期,柯達(dá)公司在發(fā)光器件的制備中使用了苯胺-TPD和八輕基哇琳鋁分別作為空穴傳輸層和電子傳輸層兼電致

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2 馬玉濤,李志堅(jiān),劉理天;包含多子帶結(jié)構(gòu)的MOS器件開啟電壓量子力學(xué)效應(yīng)修正模型[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1999年03期

3 張文良,楊之廉;用于深亞微米埋溝 MOSFET 的開啟電壓模型[J];清華大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1998年03期

4 張文良,楊之廉;計(jì)入多晶硅耗盡效應(yīng)的深亞微米MOSFET開啟電壓模型[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1997年11期

5 朱金枝,武晉鋒,趙慧云;用硼微晶玻璃片作NMOS電路的場(chǎng)區(qū)擴(kuò)散源[J];半導(dǎo)體技術(shù);1984年03期

6 何宇亮,孫明浩,薛自,李廣根,顧青;氫化非晶硅薄膜對(duì)C-MOS集成電路的鈍化保護(hù)作用[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1989年01期

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8 黃維柱,王勇,邱曉海;BF_2~+注入對(duì)PMOS晶體管開啟電壓的影響[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);2001年03期

9 吳正立,嚴(yán)利人,王紀(jì)民,蔣志,王勇,費(fèi)圭甫;E~2PROM中PMOS管開啟電壓的工藝控制[J];微電子學(xué);1996年05期

10 蔣志,王勇,,華光平;一種2μmp阱CMOS工藝[J];微電子學(xué);1994年02期

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1 連捷坤;基于SCR的ESD保護(hù)器件研究[D];電子科技大學(xué);2014年

2 黎晨;SCR結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)ESD防護(hù)性能的影響研究[D];西安電子科技大學(xué);2013年



本文編號(hào):1326111

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