本文關(guān)鍵詞：基于四值脈沖參數(shù)模型的單粒子瞬態(tài)傳播機理與軟錯誤率分析方法　出處：《電子與信息學(xué)報》2016年08期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：隨著工藝尺寸的不斷縮小,由單粒子瞬態(tài)(Single Event Transient,SET)效應(yīng)引起的軟錯誤已經(jīng)成為影響宇航用深亞微米VLSI電路可靠性的主要威脅,而SET脈沖的產(chǎn)生和傳播也成為電路軟錯誤研究的熱點問題。通過研究SET脈沖在邏輯鏈路中的傳播發(fā)現(xiàn):脈沖上升時間和下降時間的差異能夠引起輸出脈沖寬度的展寬或衰減;脈沖的寬度和幅度可決定其是否會被門的電氣效應(yīng)所屏蔽。該文提出一種四值脈沖參數(shù)模型可準確模擬SET脈沖形狀,并采用結(jié)合查找表和經(jīng)驗公式的方法來模擬SET脈沖在電路中的傳播過程。該文提出的四值脈沖參數(shù)模型可模擬SET脈沖在傳播過程中的展寬和衰減效應(yīng),與單參數(shù)脈沖模型相比計算精度提高了2.4%。該文應(yīng)用基于圖的故障傳播概率算法模擬SET脈沖傳播過程中的邏輯屏蔽,可快速計算電路的軟錯誤率。對ISCAS’89及ISCAS’85電路進行分析的實驗結(jié)果表明:該方法與HSPICE仿真方法的平均偏差為4.12%,計算速度提升10000倍。該文方法可對大規(guī)模集成電路的軟錯誤率進行快速分析。
【作者單位】： 中國科學(xué)院電子學(xué)研究所;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61271149) 國家科技重大專項資助(2013ZX03006004)~~
【分類號】：TN47
【正文快照】： (中國科學(xué)院大學(xué)北京100049)1引言當空間環(huán)境中的高能粒子擊中電子器件中處于敏感狀態(tài)(OFF狀態(tài))晶體管漏區(qū),沿入射通路產(chǎn)生大量的電子、空穴對。在漏極和襯底之間電場的作用下,空穴被壓向襯底,電子被漏極吸收,沿著入射通路產(chǎn)生一個由漏極流向襯底的電流脈沖,從而在晶體管的輸

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