基于SiGe HBT的38GHz功率放大器設(shè)計(jì)
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【摘要】:功率放大器(Power Amplifier,PA)是射頻前端關(guān)鍵的模塊,基于0.13μm SiGe HBT工藝,設(shè)計(jì)了一款38 GHz功率放大器。提出了HBT集電極寄生電容和傳輸線諧振的方法減小芯片面積,針對(duì)毫米波頻段下,晶體管可獲得最大增益較低,采用堆疊晶體管提高了功率放大器的增益,同時(shí)通過(guò)優(yōu)化有源器件參數(shù),提高了功率放大器的輸出功率和效率。仿真結(jié)果顯示,在4 V的供電電壓下,工作在38 GHz的功率放大器1 dB壓縮點(diǎn)輸出功率為17.8 d Bm,功率增益為19.0 dB,功率附加效率為32.3%,功耗為252 mW。
【作者單位】: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所"新一代通信射頻芯片技術(shù)"北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】:TN722.75
【正文快照】: 0引言近年來(lái),隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展,移動(dòng)通信數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆炸式的增長(zhǎng),現(xiàn)有的通信系統(tǒng)很難滿足人們未來(lái)生活的需求。為了提高數(shù)據(jù)容量和通信速度,需要增加信道帶寬,相比于擁擠的幾百兆赫茲到幾吉赫茲頻段,毫米波頻段有大量的有待開(kāi)發(fā)的頻譜資源,是無(wú)線通信領(lǐng)域最具發(fā)展?jié)摿Φ?
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1 錢偉,張進(jìn)書(shū),賈宏勇,林惠旺,錢佩信;微波低噪聲SiGe HBT的研制[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2000年05期
2 張永;李成;賴虹凱;陳松巖;康俊勇;成步文;王啟明;;Ge組分對(duì)SiGe HBT直流特性的影響[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2008年04期
3 趙安邦;譚開(kāi)洲;吳國(guó)增;李榮強(qiáng);張靜;鐘怡;劉道廣;;一種具有高電流增益的平面集成SiGe HBT[J];微電子學(xué);2006年05期
4 趙安邦;;一種高電流增益的SiGe HBT的研制[J];中國(guó)集成電路;2008年06期
5 鈕維;王軍;;SiGe HBT高頻噪聲等效模型研究[J];通信技術(shù);2010年12期
6 高攀;張萬(wàn)榮;邱建軍;楊經(jīng)緯;金冬月;謝紅云;張靜;張正元;劉道廣;王健安;徐學(xué)良;;橫向尺寸的變化對(duì)SiGe HBT高頻噪聲的影響(英文)[J];功能材料與器件學(xué)報(bào);2007年05期
7 劉道廣,郝躍,徐世六,李開(kāi)成,李培咸,張曉菊,張金鳳,鄭雪峰,張靜,劉嶸侃,劉倫才;基于干/濕法腐蝕的自對(duì)準(zhǔn)SiGe HBT器件[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2005年01期
8 王玉東;徐陽(yáng);張偉;李希有;劉愛(ài)華;;SiGe HBT基區(qū)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化對(duì)歐拉電壓的影響[J];微電子學(xué);2006年05期
9 楊維明,陳建新,史辰,李振國(guó),高銘潔;基于小信號(hào)等效電路模型的SiGe HBT高頻特性模擬分析[J];微電子學(xué);2005年01期
10 薛春來(lái);時(shí)文華;姚飛;成步文;王紅杰;余金中;王啟明;;基于無(wú)線功率放大器應(yīng)用的多指結(jié)構(gòu)SiGe HBT(英文)[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2007年04期
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1 張永;徐劍芳;陳荔群;蔡坤煌;李成;賴虹凱;陳松巖;康俊勇;成步文;王啟明;;不同發(fā)射極指數(shù)的SiGe HBT直流特性分析[A];第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年
中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
1 沈s,
本文編號(hào):1304251
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