發(fā)布時間：2017-12-17 17:17

  本文關鍵詞：低維半導體異質結構光電探測材料及器件驗證

  更多相關文章： 低維半導體 異質結構 光電探測材料 光電探測器

【摘要】：面向國家"戰(zhàn)略性先進電子材料"的發(fā)展目標,以國家重大戰(zhàn)略需求,如全球氣候觀測、農林普查、國土資源探測、環(huán)境監(jiān)測、深空探測和天文觀測等領域的技術發(fā)展中面臨的光探測器瓶頸問題為突破口,瞄準半導體材料及其光探測器正在朝全光譜覆蓋、大面陣、高靈敏等方向快速發(fā)展的國際態(tài)勢,開展低維半導體異質結構材料與光電器件研究,發(fā)展該體系材料人工設計精細調控的關鍵技術,推動多波段多種類型的光電探測器技術進步,促進我國經濟、社會、國家安全及科學技術的發(fā)展.
【作者單位】： 中國科學院上海技術物理研究所;中國科學院半導體研究所;西北工業(yè)大學;
【基金】：國家重點研發(fā)計劃項目(2016YFB0402400)~~
【分類號】：TN304;TN15
【正文快照】： 半導體材料及其光探測器技術在重大戰(zhàn)略需求的信息領域發(fā)揮著決定性作用.國家重大戰(zhàn)略需求如全球氣候觀測、農林普查、國土資源探測、環(huán)境監(jiān)測、深空探測和天文觀測等領域的技術發(fā)展正面臨著光探測器的瓶頸問題,基于低維半導體異質結構的材料與光電器件,已經成為光探測領域新

【相似文獻】

中國期刊全文數據庫 前7條

1 薛舫時;半導體異質結構中的谷間電子轉移效應[J];物理學報;1990年06期

2 徐毓龍，周曉華，葉錦榮，，徐玉成;半導體異質結構材料及其應用[J];功能材料;1995年02期

3 江興;;半導體異質結構納米材料新進展[J];半導體信息;2009年05期

4 Scott;;半導體異質結構納米材料新進展[J];今日電子;2009年07期

5 向飛,劉穎,朱時珍;鐵電薄膜/半導體異質結構的研究進展[J];人工晶體學報;2005年03期

6 夏建白;;2000年度諾貝爾物理學獎評介——信息革命的基礎[J];科學;2001年01期

7 ;[J];;年期

中國重要會議論文全文數據庫 前1條

1 施毅;濮林;潘力佳;陳鵬;王軍轉;張榮;鄭有p

本文編號：1300937